[发明专利]SMU RF晶体管稳定性装置

权利要求书

1.一种用于测试被测试器件(DUT)的方法，包括：

将包括至少三个测试点的第一源测量单元SMU连接到第一组至少三个三轴电缆，每个三轴电缆至少具有中心信号导体、外屏蔽、中间导体以及接地端子，以便使得所述三个测试点中的每一个都被分别连接到第一组三个三轴电缆中的每一个的中心信号导体的第一端，并且其中第一组三轴电缆的外屏蔽中的每一个外屏蔽与接地端子电力耦合在一起；

将第一组三轴电缆中的每一个的第二端连接到被测试器件的一组节点；

将包括至少三个测试点的第二SMU连接到第二组至少三个三轴电缆，并且所述第二SMU具有中心信号导体、外屏蔽、中间导体以及接地端子以便使得三个测试点中的每一个都分别连接到第二组三个三轴电缆中的每一个的中心信号导体的第一端，并且其中第二组三轴电缆的外屏蔽中的每一个都与接地端电力地耦合在一起；

将第二组三轴电缆中的每一个的第二端连接到被测试器件的一组节点；

其中，所述第一组三轴电缆和第二组三轴电缆的外屏蔽电力地耦合在一起并且电力地耦合到它们相应的接地端子，

其中第一SMU和第二SMU进一步包括：

电力地耦合到第一测试点的第一输入端子，所述第一输入端子具有：

电力地与第一输入端子串联耦合的第一端接电阻器；

电力地与第一端接电阻器串联耦合的第一保护电容器和第二保护电容器；

电力地与第一保护电容器和第二保护电容器耦合的第一保护电阻器；

电力地与它相应的接地端子串联耦合的接地电容器；

电力地耦合到第二测试点的第二输入端子，所述第二输入端子具有：

电力地与第二输入端子串联耦合的第二端接电阻器；

电力地与第二端接电阻器串联耦合的第三保护电容器和第四保护电容器；

电力地与第三保护电容器和第四保护电容器耦合的第二保护电阻器；以及

电力地耦合到第一输入端子、第二输入端子以及第三测试点的第三输入端子，并且其中第三输入端子还电力地耦合到接地电容器及其相应的接地端子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第一SMU和第二SMU每个都包括机架接地端子，第一组三轴电缆和第二组三轴电缆的相应的外屏蔽电力地耦合到机架接地端子。

3.根据权利要求1所述的方法，其中第一输入端子被配置成接收Hi信号输入。

4.根据权利要求1所述的方法，其中第二输入端子被配置成接收感测Hi信号输入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中第三输入端子被配置成接收Lo信号输入。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述DUT是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)或运算放大器或三端分立器件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述DUT以共发射极配置电力地耦合到第一组三轴电缆和第二组三轴电缆。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述DUT以共基极配置电力地耦合到第一组三轴电缆和第二组三轴电缆。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述DUT以共集电极配置电力地耦合到第一组三轴电缆和第二组三轴电缆。

10.根据权利要求1所述的方法，其中第一SMU和第二SMU每个都具有电力地耦合到第一测试点的相应的第一输入端，每个SMU具有电力地与第一端接电阻器耦合的相应的第一输入端子，每个SMU的终端电阻器具有至少50欧姆的电阻。

11.根据权利要求1所述的方法，其中第一组三轴电缆和第二组三轴电缆具有至少100欧姆的阻抗。

12.根据权利要求1所述的方法，其中每个SMU进一步包括分别电力地耦合到第一三轴电缆和第二三轴电缆的中间导体的第三保护电阻器。