[发明专利]中心孔止通规修复工艺

权利要求书

1.中心孔止通规修复工艺，其工艺方法步骤包括：根据磨损的程度对已经失效的中心孔止通规工作表面进行预处理；根据止通规母材的性能和工况要求，选择和配比合适的修复合金粉末；确定送粉方式；根据激光器类型，选定激光功率、扫描速度、搭接率和基体预热温度等主要熔覆参数；对中心孔止通规通端和止端表面进行激光熔覆修复；对修复完成的止通规工作表面进行后处理，使其达到工作要求的精度和性能，其特征在于：激光器为大功率半导体激光器，激光功率范围为2400W-2500W，扫描速度为350-400mm/min，搭接率为25%-30%，预热温度范围为190℃-200℃；修复合金粉末的质量配比为：碳（C）：0.7%-0.8%、铬（Cr）：16%-17%、硅（Si）：4%-4.5%、硼（B）：3.2%-3.5%、碳化钨（WC）：16%-18%、铁（Fe）：0-5%，其余为镍（Ni）。

2.按照权利要求1所述中心孔止通规修复工艺，其特征在于：激光功率2400W、扫描速度350mm/min、搭接率30%、基体预热温度为200℃；所述修复合金粉末的质量配比为：碳（C）：0.7%、铬（Cr）：16%、硅（Si）：4%、硼（B）：3.3%、碳化钨（WC）：16%、铁（Fe）：2%，其镍（Ni）：58%。

3.按照权利要求1所述中心孔止通规修复工艺，其特征在于：激光功率2450W、扫描速度380mm/min、搭接率25%、基体预热温度为195℃；所述修复合金粉末的质量配比为：碳（C）：0.8%、铬（Cr）： 17%、硅（Si）：4.2%、硼（B）：3.5%、碳化钨（WC）：17%、铁（Fe）：4%，镍（Ni）：53.5%。