[发明专利]晶圆级封装结构及其形成方法、以及封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，包括：

待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域，且所述待封装晶圆包括第一面和与所述第一面相对的第二面；

位于所述待封装晶圆芯片区域第一面的焊垫和感光元件；

覆盖于所述焊垫和切割道区域表面的第一围堤结构，位于第一围堤结构上方的第二围堤结构，第二围堤结构的宽度小于第一围堤结构的宽度，且第二围堤结构的位置对应于切割道区域的位置；

与所述待封装晶圆第一面相对设置的封装盖，且通过所述第一围堤结构和第二围堤结构将封装盖与待封装晶圆固定接合。

2.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构的宽度小于切割道区域的宽度。

3.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构位于第一围堤结构表面，且第二围堤结构和第一围堤结构为一体结构。

4.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构的顶部高于感光元件的顶部。

5.根据权利要求4所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构顶部至感光元件顶部的距离为1μm至50μm。

6.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构为一个或多个分立的结构。

7.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二围堤结构和第一围堤结构之间还形成有一个或多个第三围堤结构。

8.根据权利要求1所述晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一围堤结构和第二围堤结构的材料相同，为光刻胶或树脂；所述封装盖的材料为无机玻璃、有机玻璃或硅基底。

9.一种晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域，所述待封装晶圆包括第一面和与所述第一面相对的第二面，且所述待封装晶圆芯片区域的第一面具有焊垫和感光元件；

形成覆盖于所述焊垫和切割道区域表面的初始围堤结构；

对所述初始围堤结构进行裁剪处理，形成第一围堤结构、以及位于第一围堤结构上方的第二围堤结构，所述第二围堤结构的宽度小于第一围堤结构的宽度，所述第一围堤结构覆盖于焊垫和切割道区域表面，所述第二围堤结构的位置对应于切割道区域对应的位置；

形成与待封装晶圆第一面相对封装盖，且通过所述第一围堤结构和第二围堤结构将封装盖与待封装晶圆固定接合。

10.根据权利要求9所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述裁剪处理的工艺为镭射工艺或曝光显影工艺。

11.根据权利要求10所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述初始围堤结构的材料为正光刻胶时，所述裁剪处理的工艺为镭射工艺或曝光显影工艺；所述初始围堤结构的材料为负光刻胶或树脂时，所述裁剪处理的工艺为镭射工艺。

12.根据权利要求9所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，通过直接键合或利用粘合剂粘合的工艺将封装盖与待封装晶圆固定接合。

13.根据权利要求9所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一围堤结构的顶部高于感光元件的顶部。

14.根据权利要求13所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一围堤顶部至感光元件顶部的距离为1μm至50μm。

15.根据权利要求9所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二围堤结构为一个或多个分立的结构，所述第二围堤结构的宽度小于切割道区域的宽度。

16.根据权利要求9所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二围堤结构位于第一围堤结构表面，且第二围堤结构和第一围堤结构为一体结构。

17.根据权利要求9所述晶圆级封装结构的形成方法，其特征在于，第二围堤结构和第一围堤结构之间形成有一个或多个第三围堤结构。