[发明专利]像素结构及其制作方法和显示面板有效
| 申请号: | 201410041106.6 | 申请日: | 2014-01-27 |
| 公开(公告)号: | CN103779202A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
| 发明(设计)人: | 杜鹏 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L23/50 |
| 代理公司: | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人: | 刘敏 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 及其 制作方法 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其是涉及一种像素结构的制作方法、像素结构及显示面板。
背景技术
目前,大尺寸、高分辨率显示面板已经成为薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的一个发展趋势。然而,随着尺寸的变大,信号线的负载也会增大,从而引起信号延迟,严重影响显示质量。为了解决上述问题,现有技术中提出增加金属层厚度来有效降低电阻、减小信号线负载的方法,但随着金属层厚度增加,金属层图案化后就会产生较大的段差,继而影响后续层别的制作,特别是造成后续薄膜在跨线处发生断线等问题,严重降低产品成品率。
此外,现有像素结构透光区的像素电极往往采用米字形的结构,亦即透光区由很多条状的像素电极组成,每条像素电极之间具有狭缝间隔,由于狭缝部分没有电极,因此电场强度较弱,从而引起部分穿透率的损失,降低了现实质量。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素结构及其制作方法和显示面板,旨在有效解决大尺寸显示面板信号延迟问题,提升显示质量。
为达以上目的,本发明提出一种像素结构的制作方法,包括步骤:
在基板上形成一图案化的第一金属层;
在基板上形成一平坦化的第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙,并露出所述第一金属层表面。
优选地,所述在基板上形成一平坦化的第一绝缘层包括:
在基板上形成一覆盖所述第一金属层的第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙;
平坦化所述第一绝缘层,以使所述第一绝缘层露出所述第一金属层表面。
优选地,所述平坦化所述第一绝缘层包括:
在所述第一绝缘层上涂覆负性光阻层;
以所述第一金属层作为光罩进行显影,除去所述第一金属层上方的负性光阻层以暴露出所述第一绝缘层;
刻蚀所述第一绝缘层,除去所述第一金属层上方暴露出来的第一绝缘层,以露出所述第一金属层表面。
优选地,所述在基板上形成一平坦化的第一绝缘层的步骤之后还包括:
在透光区的第一绝缘层上形成一具有多个凹槽的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成一整体的像素电极层,所述像素电极层整块覆盖于所述第二绝缘层。
优选地,所述凹槽呈狭长状,且所述多个凹槽平行排布。
优选地,所述第二绝缘层包括栅绝缘层和钝化层。
本发明同时提出一种像素结构,其配置于一基板上,包括形成于所述基板上的图案化的第一金属层和平坦化的第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙,并露出所述第一金属层表面。
优选地,所述像素结构具有一透光区,所述像素结构还包括第二绝缘层和像素电极层,其中:
所述第二绝缘层形成于所述透光区的第一绝缘层上,且所述第二绝缘层上具有多个凹槽;
所述像素电极层为一整体结构,且整块覆盖于所述第二绝缘层上。
优选地,所述凹槽呈狭长状,且所述多个凹槽平行排布。
本发明同时提出一种显示面板,包括一基板和像素结构,所述像素结构配置于所述基板上,所述像素结构包括形成于所述基板上的图案化的第一金属层和平坦化的第一绝缘层,所述第一绝缘层填充所述第一金属层的空隙,并露出所述第一金属层表面。
本发明所提供的一种像素结构的制作方法,通过形成一平坦化的第一绝缘层,使得第一绝缘层填充第一金属层的空隙并露出第一金属层,消除了第一金属层的段差,从而消除了因段差而带来的对后续层别的制作产生的不利影响,因此可以制作比传统方法更厚的第一金属层,从而可以有效降低大尺寸面板走线的负载,降低信号线电阻,减小信号延迟,提升显示质量。
附图说明
图1是本发明的像素结构一实施例的剖视图;
图2是现有技术中的像素结构的透光区的剖视图;
图3是本发明的像素结构的透光区的剖视图;
图4是本发明的像素结构的制作方法第一实施例的流程图;
图5是图4中步骤S103的具体流程图;
图6是本发明中在基板上形成图案化的第一金属层后的结构示意图;
图7是本发明中在基板上形成第一绝缘层和光阻层后的结构示意图;
图8是本发明中对图7中的像素结构显影后的结构示意图;
图9是本发明中在基板上形成平坦化的第一绝缘层后的结构示意图;
图10是本发明的像素结构的制作方法第二实施例的流程图;
图11是图10中步骤S304的具体流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





