[发明专利]一种VDMOS管的制造方法和VDMOS

权利要求书

1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体VDMOS管的制造方法，其特征在于，包括：

在硅片上依次形成栅氧化层、多晶硅层、P-体区、N型源区、氮化硅层和P+体区；

对所述氮化硅层以及所述栅氧化层进行刻蚀处理，以在所述多晶硅层的侧壁形成侧墙；

在所述多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物，并降低所述钛的硅化物的电阻；

依次形成介质层、接触孔和金属层，以使得所述金属层分别与所述N型源区的侧面以及所述N型源区的上表面的钛的硅化物的侧面相连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层和N型源区的表面形成一层钛的硅化物，包括：

在所述多晶硅层和N型源区的上表面上形成钛层；

对所述硅片进行第一预设温度的高温退火处理，以使得与所述钛层接触的所述多晶硅层和N型源区的上表面形成一层钛的硅化物；

通过硫酸和双氧水的混合液，去除多余未反应的钛层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述降低所述钛的硅化物的电阻，包括：

对所述硅片进行第二预设温度的高温退火处理，以降低所述钛的硅化物的电阻。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述钛层的厚度大于或等于0.02毫米，且小于或等于0.06毫米。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设温度大于或等于600℃，且小于或等于800℃。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二预设温度大于或等于800℃，且小于或等于1000℃。

7.一种VDMOS，其特征在于，包括：N型衬底，在所述N型衬底上表面形成的N型外延层，在所述N型外延层上表面形成的栅氧化层，在所述栅氧化层上表面形成的多晶硅层，在所述N型衬底上形成的P-体区、N型源区和P+体区，由对所述多晶硅层上形成的氮化硅层以及所述栅氧化层的刻蚀而形成的所述多晶硅层的侧墙，在所述多晶硅层和N型源区的上表面形成的钛的硅化物层，在所述多晶硅层、所述多晶硅层的侧墙和所述硅化物层的表面形成的介质，在所述P+体区上方形成的接触孔，以及在所述介质层的上表面、所述接触孔中以及所述N型衬底的下表面形成的金属层；

其中，所述金属层分别与所述N型源区的侧面以及所述N型源区的表面的钛的硅化物的侧面相连接。