[发明专利]半导体封装件及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种用于堆栈式封装件的半导体封装件及其制法。

背景技术

近年来，由于各种电子产品在尺寸上是日益要求轻、薄及小，因此可节省基板平面面积并可同时兼顾处理性能的堆栈式封装件（package on package，PoP）愈来愈受到重视。

图1所示者为现有的堆栈式封装件，如图所示，该堆栈式封装件为使用焊球11来作为底层封装基板12与顶层封装基板13之间的电性连接用途的互连结构(interconnection)，然而，由于封装件的输入/输出(I/O)的电性连接密度增加，在堆栈封装件的尺寸不变的情况下，焊球11间的间距必须减小，使得焊球11容易于回焊时桥接。

因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实为目前业界所急需解决的课题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的为提供一种半导体封装件及其制法，能有效避免焊料桥接现象。

本发明的半导体封装件的制法包括：接置第一基板于第二基板上，其中，该第一基板的一表面上设有多个第一金属柱，该第二基板具有其上设有芯片的第三表面与相对于该第三表面的第四表面，供该第一基板藉由该第一金属柱连接该第二基板的第三表面；于该第一基板与第二基板间形成封装胶体，令该封装胶体具有面向该第一基板的第一表面及与其相对的第二表面；以及移除该第一基板。

于前述的制法中，该第三表面上还具有多个电性连接垫，供该第一基板藉由该第一金属柱对应电性连接该电性连接垫而接置于该第二基板上，该第一基板包括依序层叠的介电层、第一金属层与第二金属层，且该第一金属柱设于该第二金属层上。

依上所述的半导体封装件的制法，移除该第一基板包括先移除该介电层与第一金属层，再移除该第二金属层，该第一金属柱的顶端上还设有导电组件，各该电性连接垫上还设有第二金属柱，以对应电性连接该第一金属柱。

于本发明的制法中，该第二金属柱的顶端上还设有导电组件，于移除该第一基板后，还包括于该第一金属柱上形成有机保焊剂，于移除该第一基板后，还包括于该第四表面上形成多个导电组件。

所述的制法中，该第二基板包括依序层叠的第一承载板与黏着层，且该第一金属柱连接至该黏着层，且于移除该第一基板后，还包括移除该第二基板，并于该第二表面上形成第二线路重布层，于移除该第一基板后，还包括于该第一表面上形成第一线路重布层。

又依上所述的半导体封装件的制法，于形成该第一线路重布层后，还包括于该第一线路重布层上接置第二承载板，并移除该第二基板，于该第二表面上形成第二线路重布层，移除该第二承载板，于形成该第二线路重布层后，还包括于该第二线路重布层上形成多个导电组件。

本发明还提供一种半导体封装件，其包括：封装胶体，其具有相对的第一表面与第二表面；芯片，其嵌埋于该封装胶体内，且外露于该封装胶体的第二表面；多个金属柱，其设于该封装胶体中，且贯穿该第一表面与第二表面；第一线路重布层，其形成于该第一表面上，且电性连接该金属柱；以及第二线路重布层，其形成于该第二表面上，且电性连接该芯片与金属柱。

前述的半导体封装件中，还包括形成于该第二线路重布层上的多个导电组件。

由上可知，本发明的半导体封装件及其制法以金属柱来电性连接上下基板，该金属柱所占的空间较现有技术的焊球小，因此可适用于细间距的封装需求，并避免焊料桥接。

附图说明

图1为现有堆栈封装结构的剖视图。

图2A至图2I为本发明的半导体封装件的制法的第一实施例及该半导体封装件的应用例的剖视图，其中，图2B’为图2B的另一实施例，图2C’与图2C”为图2C的不同实施例，图2D’为图2D的另一实施例。

图3A至图3K为本发明的半导体封装件的制法的第二实施例及该半导体封装件的应用例的剖视图。

主要组件符号说明

11            焊球

12            底层封装基板

13            顶层封装基板

20            第一基板

201           介电层

202           第一金属层

203           第二金属层

204           第一金属柱

205、213、24  导电组件

21、30        第二基板

21a、30a      第三表面