[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，包括硅基体（20），设于硅基体背面的p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32），其特征是：所述p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32）相互交替排列在所述硅基体（20）的背面，所述p+掺杂区域（30）上设有正电极接触细栅（40），所述n+掺杂区域（32）上设有负电极接触细栅（42），所述硅基体（20）的背面上还设有正电极主栅（60）和负电极主栅（62），所述正电极主栅（60）与所述负电极接触细栅（42）及其所在的n+掺杂区域（32）相接触位置处设有绝缘阻挡层（50），所述正电极主栅（60）位于所述绝缘阻挡层（50）上且与所述正电极接触细栅（40）相连接但不与所述负电极接触细栅（42）和所述n+掺杂区域（32）相接触，所述负电极主栅（62）与所述正电极接触细栅（40）及其所在的p+掺杂区域（30）相接触的位置处设有绝缘阻挡层（52），所述负电极主栅（62）位于所述绝缘阻挡层（52）上且与所述负电极接触细栅（42）相连接但不与所述正电极接触细栅（40）和所述p+掺杂区域（30）相接触。

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述p+掺杂区域（30）和所述n+掺杂区域（32）之间还设有用于使所述p+掺杂区域（30）和所述n+掺杂区域（32）绝缘的带隙（34）。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述正电极接触细栅（40）为银铝细栅线；所述负电极接触细栅（42）为银细栅线。

4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述正电极接触细栅（40）的宽度不宽于所述p+掺杂区域（30）的宽度；所述负电极接触细栅（42）的宽度不宽于所述n+掺杂区域（32）的宽度。

5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述绝缘阻挡层（50）的宽度不窄于所述n+掺杂区域（32）的宽度且不覆盖与之相邻的正电极接触细栅（40）；所述绝缘阻挡层（52）的宽度不窄于所述p+掺杂区域（30）的宽度且不覆盖与之相邻的负电极接触细栅（42）。

6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述正电极主栅（60）和所述负电极主栅（62）分别与所述p+掺杂区域（30）和所述n+掺杂区域（32）之间的夹角为80～100°，且所述正电极主栅（60）和所述负电极主栅（62）相互平行且不相接触，所述正电极主栅（60）的根数为M，所述负电极主栅的根数为N，M与N均为自然数。

7.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述的硅基体（20）为N型单晶硅衬底，其电阻率为1～30Ω·cm，厚度为50～300μm，使用前先经表面制绒。

8.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：所述硅基体（20）的前表面为制绒面，所述制绒面上设有低掺杂浓度的n+前表面场FSF，所述n+前表面场FSF上设有钝化减反膜，所述钝化减反膜为SiOx钝化膜和SiNx减反膜的复合膜；所述硅基体（20）的背表面为抛光面或制绒面。

9.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征是：相互交替排列在所述硅基体（20）的背面的p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32）通过热扩散、离子注入和退火、掩膜和刻蚀中的一种或多种相结合的工艺进行制备；所述p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32）的表面上还覆盖有氧化铝AlO钝化膜和氮化硅SiN保护膜。

10.权利要求1-9任一项权利要求所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征是含以下步骤：

（1）在硅基体（20）背面制作相互交替排列分布的p+掺杂区域（30）和n+掺杂区域（32）；

（2）在所述p+掺杂区域（30）上制作正电极接触细栅（40），在所述n+掺杂区域（32）上制作负电极接触细栅（42）；

（3）在所述正电极接触细栅（40）及所在的p+掺杂区域（30）上覆盖绝缘阻挡层（52）并裸露与之相邻的负电极接触细栅（42），在所述负电极接触细栅（42）及其所在的n+掺杂区域（32）上覆盖绝缘阻挡层（50）并裸露与之相邻的正电极接触细栅（40）；

（4）在所述硅基体（20）的背面上制作正电极主栅（60）和负电极主栅（62），所述正电极主栅（60）位于所述绝缘阻挡层（50）上且与所述正电极接触细栅（40）相连接但不与所述负电极接触细栅（42）和所述n+掺杂区域（32）相接触；所述负电极主栅（62）位于所述绝缘阻挡层（52）上且与所述负电极接触细栅（42）相连接但不与所述正电极接触细栅（40）和所述p+掺杂区域（30）相接触，制备获得背接触太阳能电池。