[发明专利]一种采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法无效
| 申请号： | 201410038158.8 | 申请日： | 2014-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN103787270A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 成蒙;张广宇;时东霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 原子 显微镜 加工 石墨 晶格 纳米 结构 方法 | ||
1.一种采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，包括：
步骤A：采用原子力显微镜的针尖加脉冲电压的方式在石墨烯上形成人工空位缺陷；
步骤B：用含氢等离子体对该石墨烯进行各向异性刻蚀。
2.根据权利要求1所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，在步骤A之前还包括通过机械剥离的方法将石墨烯转移到具有氧化层的硅片基底上。
3.根据权利要求2所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，将石墨烯转移到具有氧化层的硅片基底上之后，还包括铺设与石墨烯导通的器件电极，以及与硅片基底导通的附加电极，其中，所述器件电极和附加电极之间通过引线导通。
4.根据权利要求3所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，所述附加电极的铺设方法为：在硅片基底氧化层上设置若干个穿透氧化层的凹槽，在凹槽处设置附加电极，并且是附加电极与硅片基底导通。
5.根据权利要求3所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，在步骤A中，所述脉冲电压的一个电极与原子力显微镜的针尖连通，另一个电极与硅片基底导通。
6.根据权利要求1所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，在步骤A中，脉冲电压的电压值为-5V～-10V。
7.根据权利要求1所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，在步骤A中，人工空位缺陷为孔洞，该孔洞的直径为30nm-60nm。
8.根据权利要求1所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，在步骤A中，脉冲电压的持续时间为0.5s-1.5s。
9.根据权利要求1所述的采用原子力显微镜加工石墨烯超晶格纳米结构的方法，其特征在于，在步骤A中，所述人工空位缺陷呈周期性排布。
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