[发明专利]一种负性光刻胶及其制备方法、使用方法

权利要求书

1.一种负性光刻胶的制备方法，其特征在于，包括：

按照质量配比，将1～90份的含羟基或羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚化合物，0.1～15份的交联剂，溶解在能够溶解上述物质的有机溶剂中。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含羟基的成膜树脂包括：含酚羟基的成膜树脂。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：按照所述质量配比，加入光产酸剂以及染料共0.1～10份。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

按照质量配比，将1～5份的含酚羟基或含羧基的成膜树脂，5～9份的含硅乙烯基醚化合物，0.2～0.5份的交联剂，以及光产酸剂和染料共0.5～0.8份溶解在300～340份的有机溶剂中。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述交联剂的结构简式包括：

其中，所述交联剂的结构简式中的R1为C1-C8的烷基，R2为H或CH3。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述含羧基的成膜树脂包括：侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂、含有羧基的聚丙烯酸酯类树脂和聚乙烯醇缩醛羧酸酐酯化树脂中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂的结构通式为：

所述侧链上含有羧基的线性酚醛类树脂的结构通式中x为0-2，n为2-15，p为0-13，R1为H或C1-C9的烷基。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含硅乙烯基醚化合物的结构通式为：

所述含硅乙烯基醚化合物的结构通式中n为2-10，m为1-600，R1为C1-C9的烷基。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的光产酸剂包括鎓盐类、芳茂铁类、硫酸肟盐类或三嗪类光产酸剂中的至少一种。

11.一种负性光刻胶，其特征在于，按照质量配比，所述负性光刻胶包括：1～90份的含羟基或羧基的成膜树脂，1～99份的含硅乙烯基醚化合物，0.1～15份的交联剂，以及能够溶解上述物质的有机溶剂。

12.根据权利要求11所述的负性光刻胶，其特征在于，按照所述质量配比，所述有机溶剂为200-400份。

13.根据权利要求12所述的负性光刻胶，其特征在于，按照所述质量配比，所述负性光刻胶还包括：光产酸剂以及染料共0.1～10份。

14.一种负性光刻胶的使用方法，其特征在于，包括：

将权利要求11-13任一项所述的负性光刻胶形成在待处理的基板上；

使所述负性光刻胶中的含羟基或羧基的成膜树脂，与含硅乙烯基醚化合物反应，生成含硅醚化物光刻胶薄膜；

进行曝光，在光产酸剂的作用下，使得曝光区域的含硅醚化物中的Si-OR基团优先与交联剂发生交联反应；

在碱性显影液中显影，形成显影图像。