[发明专利]一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法有效
| 申请号： | 201410036791.3 | 申请日： | 2014-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103774230A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王如志;赵军伟;张跃飞;严辉;张铭;王波;宋雪梅;朱满康;侯育冬;刘晶冰;汪浩 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/00;C23C16/34;C23C16/513;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氨化 制备 氮化 纳米 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）Ga2O3粉末与炭粉以摩尔比不高于1:1的比例进行混合，研磨2min以上得到前驱物粉体；
（2）使用镀膜仪，在经过清洗和氢氟酸处理后烘干的衬底上镀厚度为5nm-30nm的金属催化剂薄膜；
（3）将采用上述方法制备的前驱物粉体和衬底放入等离子增强化学气相沉积系统中进行制备：反应气压10-100Pa；衬底温度800℃-1100℃；N2流速20厘米3/分钟-30厘米3/分钟，H2流速10厘米3/分钟-60厘米3/分钟；射频电源功率40-90W，调节电源功率至得到稳定的亮黄紫色辉光的等离子气体。
2.根据权利要求1所述的一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，其特征在于：所述衬底为Si或石英。
3.根据权利要求1所述的一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，其特征在于：所述金属催化剂为Au或Ni。
4.根据权利要求1所述的一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，其特征在于：Ga2O3粉末与炭粉以摩尔比1:1-1:4比例进行混合。
5.根据权利要求1所述的一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法，其特征在于：Ga2O3粉末与炭粉混合后研磨5min-2h得到前驱物粉体。
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