[发明专利]紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法无效
| 申请号： | 201410036565.5 | 申请日： | 2014-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103778922A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘富荣;白楠;韩欣欣;赵建军;陈继民 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G11B7/241 | 分类号： | G11B7/241;G11B7/26;G11B7/127 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外 激光 诱导 相变 光盘 存储 一种 方法 | ||
【权利要求书】：
1.紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法，其特征在于：它是利用248nm的准分子激光器诱导由Ge、Sb、Te、Sn组成的四元组分存储材料发生可逆相变。
2.根据权利要求1中所述紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法，其特征在于：所使用的激光器脉宽为30ns，单脉冲输出，激光器能量为激光能量在75mJ～268mJ、聚焦光斑尺寸为2.25cm2辐照相变材料。
3.根据权利要求2所述紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法，其特征在于：所述四元组分存储材料，化学通式为SnxGe20-xSb20Te50，其中1≤x＜20。
4.根据权利要求3所述紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法，其特征在于：所述的薄膜材料为采用磁控溅射双靶共溅射法在氧化硅基底上制备Ge2Sb2Te5掺Sn薄膜的材料，背底真空为≤1×10-4Pa，溅射时的氩气气压为0.5Pa，Ar2流量为20sccm，溅射时间7-10min，控制Ge2Sb2Te5靶材的溅射功率为直流30W，控制Sn靶的溅射功率在射频3W-6W之间。
5.如权利要求4所述紫外激光诱导相变光盘存储的一种方法，其特征在于：所得到溅射薄膜为非晶相，经过激光辐照后薄膜变为晶相，反射率测试达到满足相变材料要求的≥15%。
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