[发明专利]一种磨削碳化硅晶体端面的方法及装置

权利要求书

1.一种磨削碳化硅晶体端面的方法，其特征在于：采用同一设备将至少两块的待磨削晶体同时定位，同时对砂轮修整装置同步定位，之后即可进行晶体的磨削。

2.一种磨削碳化硅晶体端面的装置，包括基座（11），其特征在于：所述的基座（11）上设置有晶体定位油缸和砂轮修整定位油缸（5），所述基座（11）两侧还设置有支撑板（10），所述的支撑板（10）上活动连接有晶体安装定位平板（12）。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述的晶体定位油缸顶端设置有磁力吸盘（13）。

4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述的晶体安装定位平板（12）通过快速链接销固定在基座两侧的支撑板（10）上。

5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述的基座（11）中心设置砂轮修整定位油缸（5），在其周围呈正方形或圆形均匀分布有晶体定位油缸。

6.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述的晶体定位油缸并联在同一油路上，所述的砂轮修整定位油缸单独连接在另一油路上。

7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述晶体定位油缸的主供油管路上设置有压力传感器和电磁阀；每个定位油缸的供油管路上均安装有液控自锁紧装置。