[发明专利]形成带有散热器的半导体器件组合件的方法在审
申请号: | 201410033773.X | 申请日: | 2014-01-24 |
公开(公告)号: | CN103972229A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | L·M·希金斯三世;B·J·卡彭特 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/36 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 带有 散热器 半导体器件 组合 方法 | ||
1.一种方法,包括:
提供包括衬底和安装到所述衬底的主表面的一部分上的集成电路IC管芯的IC管芯组合件;
在所述IC管芯上分配热界面材料;
将散热器的一部分放置为与所述热界面材料接触;以及
在所述散热器的面向所述IC管芯组合件的一侧和所述衬底上的密封剂的主表面的所暴露部分之间分配粘合剂。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括固化所述粘合剂。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括固化所述粘合剂和所述界面材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中分配所述粘合剂是在所述散热器边缘的周围分配的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述散热器包括:
接触所述热界面材料的基座;以及
至少一个穿过所述散热器在所述基座的外周界周围的通风口。
6.根据权利要求4所述的方法,其中分配所述粘合剂通过使用喷嘴来执行,所述喷嘴分配所述粘合剂穿过所述散热器的所述通风口。
7.根据权利要求1所述的方法,其中分配所述粘合剂被执行以便所述粘合剂接触所述衬底上的密封剂和所述散热器的所述一侧的至少一部分。
8.根据权利要求1所述的方法,其中接触所述热界面材料的所述散热器的所述部分是下设部分,所述下设部分被放置在位于附着于所述IC管芯和所述衬底之间的丝焊的周界内的所述IC管芯之上。
9.一种方法,包括:
将半导体管芯附着于衬底;
在所述管芯和所述衬底之间形成丝焊;
用模塑化合物封装所述丝焊,其中所述模塑化合物被配置以暴露所述管芯的不包括所述丝焊的顶表面;
在所述管芯的所述顶表面之上涂敷第一粘合剂;
使散热器的一部分接触所述第一粘合剂;以及
分配第二粘合剂以便所述第二粘合剂填充所述模塑化合物的第一侧和所述散热器的第一侧之间的间隙。
10.根据权利要求9所述的方法,其中接触所述散热器的所述部分包括在所述散热器和所述衬底之间加压以建立所述第一粘合剂的预定厚度。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述第一粘合剂是热界面材料以及所述第二粘合剂是通过毛细管作用能够流动的材料。
12.根据权利要求9所述的方法,其中分配所述第二粘合剂包括在所述散热器的周界周围分配所述第二粘合剂以便所述第二粘合剂在所述间隙内流动并且与所述模塑化合物的所述第一侧和所述散热器的所述第一侧相接触。
13.根据权利要求9所述的方法,其中所述散热器包括穿过位于所述散热器的接触所述第一粘合剂的所述部分之外的横截面的通风口。
14.根据权利要求13所述的方法,其中分配所述第二粘合剂包括在所述通风口内分配所述第二粘合剂以便所述第二粘合剂在所述间隙内流动并且与所述模塑化合物的所述第一侧和所述散热器的所述第一侧相接触。
15.根据权利要求9所述的方法,还包括固化所述第一粘合剂和所述第二粘合剂。
16.根据权利要求13所述的方法,其中接触所述第一粘合剂的所述散热器的所述部分是从所述散热器的所述第一侧朝向所述管芯延伸的下设部分。
17.一种方法,包括:
将第一界面材料涂敷于安装到衬底上的集成电路IC管芯的暴露的部分上;
使用界面材料将散热器的第一部分安装到所述IC管芯上,所述散热器具有穿过所述散热器的位于所述散热器的所述第一部分之外的第二部分的口;以及
在所述散热器的第一侧和所述衬底上的密封剂的表面之间分配粘合剂,其中所述界面材料不同于所述粘合剂。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述界面材料具有包括如下各项的组中的一个:与所述粘合剂不同的热性能和与所述粘合剂不同的机械性能。
19.根据权利要求17所述的方法,其中所述粘合剂是通过包括如下各项的组中的一个的方式分配的:在所述散热器的边缘周围、以及穿过所述散热器的所述口。
20.根据权利要求19所述的方法,还包括使用毛细管作用移动所述密封剂和所述散热器的所述第一侧之间的所述粘合剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的