[发明专利]一种片式阻容网络模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410033392.1 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN103780218B 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 杨俊锋;庄严;庄彤;李杰成;丁明健 申请(专利权)人: 广州天极电子科技有限公司
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15;H03H3/02
代理公司: 广州圣理华知识产权代理有限公司44302 代理人: 李唐明
地址: 510288 广东省广州市海珠区大干*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 片式阻容 网络 模块 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种电路元件,尤其涉及一种片式阻容网络模块及其制造方法。

背景技术

电阻器和电容器是电路中应用最为广泛的无源元件。电阻器在电路中主要起电源去耦、晶体管工作点偏置、网络匹配以及间级耦合等作用;电容器主要起滤波、去耦、耦合等作用。一般情况下,电路中电阻和电容配套使用。传统的工艺是当需要同时使用电阻器和电容器时,在电路中通过一定的封装工艺将单个的电阻器和电容器按设计装配到电路中,这种方法操作麻烦,效率低,电阻和电容至少要封装两次,而且封装过程中不可避免地引入了寄生参数,影响电路的性能,并且这种封装方式降低了元件的密度,不利于电路向高集成方向发展。

中国专利号为ZL98124228.6的专利公开了一种平板电阻电容及其制造方法,该方法是利用压板技术在高介电系数的基板上形成铜膜,并通过光阻涂布、影像转移以及刻蚀技术形成平板电容器,最后将具有高电阻系数的导电层印刷在适当的位置形成平板电阻。该方法制造出的平板电阻器电容器组件,虽然可以释放印刷电路的表面空间,提高被动元件的密度,有助于降低寄生参数,但由于电极为铜,容易在空气中氧化,影响电路的高频特性心及可靠性,而且,电阻层是通过印刷的方法得到,与光刻刻蚀工艺相比,图形精度差,影响电路的高频特性。

中国专利号为201210039537.X的专利,公开了一种阻容网络模块及其制造方法,但该专利将电阻器和电容器集成在同一个陶瓷基片上,一个电容器只配一个电阻器,封装密度无法得到提高。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种极大提高元器件的封装密度,降低寄生系数,高频特性和可靠性显著提高的片式阻容网络模块。

本发明的第二个目的提供一种片式阻容网络模块的制造方法。

本发明的第一个目的采用如下技术方案:

一种片式阻容网络模块,包括片式电阻器、电容器和介于电容器和电阻器之间的粘结物,所述电阻器包括电阻陶瓷基板、附着于所述电阻陶瓷基板下表面的电阻下电极、附着于电阻陶瓷基板上表面的电阻体和附着于电阻陶瓷基板上表面且互相分离设置在所述电阻体两端的第一电阻上电极、第二电阻上电极,所述电容器包括电容陶瓷基板、附着于所述电容陶瓷基板上表面的电容上电极和附着于所述电容陶瓷基板下表面的电容下电极。

进一步,所述电阻器为片式电阻器,且为一个或一个以上,通过粘结物粘结在所述电容器上表面。

进一步,所述电阻陶瓷基板为氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、二氧化铝或微晶玻璃陶瓷基板。

进一步,所述电阻体为氮化钽、铬化镍或硅化镍电阻体,且为矩形。

进一步,所述电容陶瓷基板的介电常数为9.6~50000。

进一步,所述电阻下电极、第一电阻上电极、第二电阻上电极、电容上电极和电容下电极包括一层或一层以上金属层,所述金属层为金、钛/金、钛/铜/金、钨化钛/金、钨化钛/镍/金、铬化镍/金或铬化镍/镍/金的单一金属层或复合金属层。

进一步,所述粘结物为导电胶、焊料或焊膏。

本发明的第二个目的采用如下技术方案:

一种片式阻容网络模块的制造方法,包括如下步骤:

步骤一:在电容陶瓷基板的上下两个表面,通过溅射、蒸发或印刷工艺,制备出电容上电极和电容下电极;

步骤二:将制备好上下电极的电容陶瓷基板按设计的尺寸,划切成一块一块的电容器;

步骤三:对划切出的电容器进行容量、介质损耗、绝缘电阻、耐电压和外观的分选,挑选出性能符合要求的电容器;

步骤四:在电阻陶瓷基板的上表面,通过溅射或蒸发工艺,制备出电阻体和所述电阻体两端的第一电阻上电极、第二电阻上电极;

步骤五:在电阻陶瓷基板的下表面,通过溅射、蒸发或印刷工艺,制备出附着于电阻陶瓷基板下表面的电阻下电极;

步骤六:对制备好上下电极的电阻陶瓷基板的第一电阻上电极、第二电阻上电极和电阻体进行光刻刻蚀,制备出上电极图形和电阻体图形;

步骤七:对制备好上电极图形和电阻体图形的电阻陶瓷基板按设计的尺寸划切,得到一块一块的片式电阻器;

步骤八:对划切出的片式电阻器进行阻值和外观的分选,挑选出性能符合要求的片式电阻器;

步骤九:在电容器的电容上电极表面,通过印刷、涂覆或粘贴工艺制备粘结物;

步骤十:在粘结物表面贴上片式电阻器,与电容器结合为一体,然后置于加热炉中加热,控制温度在150℃-400℃之间,加热时间控制在25秒-180秒之间;

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