[发明专利]具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

器件制造商不断地面临的挑战是通过例如提供具有高品质性能的集成电路给用户创造价值和方便。用于高压应用（具有高击穿电压）的一些金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有使晶体管能够承受高击穿电压和高电流的结构。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；埋氧层，位于所述衬底上方；掩埋n+区域，在所述衬底中位于所述埋氧层下面；外延层，位于所述埋氧层上方，所述外延层包括：p阱；n阱；和漂移区，介于所述p阱和所述n阱之间；源极接触件；第一电极，将所述源极接触件电连接至所述p阱；栅极，位于所述p阱的一部分和所述漂移区的一部分上方；漏极接触件；以及第二电极，从所述漏极接触件延伸穿过所述n阱并穿过所述埋氧层，到达所述掩埋n+区域，其中，所述第二电极将所述漏极接触件电连接至所述n阱和所述掩埋n+区域。

该半导体器件进一步包括：源极n+区域，位于所述p阱内；以及源极p+区域，位于所述p阱内，其中，所述第一电极电连接至所述源极n+区域和所述源极p+区域，并且所述第一电极通过所述源极n+区域和所述源极p+区域的方式电连接至所述p阱。

该半导体器件进一步包括：漏极n+区域，位于所述n阱内；其中，所述第二电极进一步电连接至所述漏极接触件和所述n阱内的所述漏极n+区域。

该半导体器件进一步包括：绝缘层，位于所述外延层上方。

在该半导体器件中，所述绝缘层是氧化物层。

在该半导体器件中，所述栅极位于所述绝缘层内。

在该半导体器件中，所述第二电极包括金属材料。

在该半导体器件中，所述第二电极包括多晶硅材料。

在该半导体器件中，所述第二电极与所述外延层绝缘。

在该半导体器件中，所述第二电极通过绝缘层与所述外延层绝缘，所述绝缘层内衬于要形成所述第二电极的开口的一个或多个内壁。

根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括：形成具有衬底上方的埋氧层的绝缘体上硅晶圆；在所述衬底中的所述埋氧层下面形成掩埋n+区域；在所述埋氧层上方的所述绝缘体上硅晶圆的外延层中形成p阱、n阱以及介于所述p阱和所述n阱之间的漂移区；使用第一电极将源极接触件电连接至所述p阱；在所述p阱的一部分和所述漂移区的一部分的上方形成栅极；形成穿过所述n阱和所述埋氧层的开口以露出所述掩埋n+区域；在所述开口中沉积第二电极；以及使用所述第二电极将漏极接触件电连接至所述n阱和所述掩埋n+区域。

该方法进一步包括：在所述p阱中形成源极n+区域；在所述p阱中形成源极p+区域；以及使用所述第一电极将所述源极n+区域和所述源极p+区域电连接至所述源极接触件，其中，所述源极接触件通过所述源极n+区域和所述源极p+区域的方式电连接至所述p阱。

该方法进一步包括：在所述n阱中形成漏极n+区域；以及将所述漏极接触件电连接至所述n阱中的所述n+区域。

该方法进一步包括：在所述外延层上方形成绝缘层。

在该方法中，所述绝缘层是氧化物层。

在该方法中，所述栅极位于所述绝缘层中。

该方法进一步包括：在要沉积所述第二电极的所述开口的一个或多个内壁上形成第二电极绝缘层，以使所述第二电极与所述外延层绝缘。

该方法进一步包括：去除所述第二电极绝缘层的至少一部分以露出所述掩埋n+区域，以有助于使用所述第二电极将所述漏极接触件电连接至所述掩埋n+区域。

根据本发明的又一方面，提供了一种方法，包括：形成穿过绝缘体上硅晶圆的n阱和埋氧层的开口以露出所述绝缘体上硅晶圆的掩埋n+区域，所述掩埋n+区域在所述绝缘体上硅的衬底中位于所述埋氧层下面；使用第一电极将源极接触件电连接至所述绝缘体上硅晶圆的p阱；在所述开口中沉积第二电极；以及使用所述第二电极将漏极接触件电连接至所述绝缘体上硅晶圆的n阱和掩埋n+区域。

该方法进一步包括：在要沉积所述第二电极的所述开口的一个或多个内壁上形成第二电极绝缘层，以使所述第二电极与所述绝缘体上硅晶圆的外延层绝缘；以及去除所述第二电极绝缘层的至少一部分露出所述掩埋n+区域，以有助于使用所述第二电极将所述漏极接触件电连接至所述掩埋n+区域。

附图说明