[发明专利]扇出式封装结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410032176.5 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN104659019B 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 王卜;施应庆;卢思维;林俊成 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 扇出式 封装 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,包括:

管芯,具有位于表面上的焊盘;

密封剂,至少横向地密封所述管芯,穿过所述密封剂露出所述焊盘;

第一介电层,位于所述密封剂和所述管芯上方;

第一导电图案,位于所述第一介电层上方;

第二介电层,位于所述第一导电图案和所述第一介电层上方,所述第一介电层和所述第二介电层对于所述管芯的所述焊盘具有第一开口;以及

第二导电图案,位于所述第二介电层上方和所述第一开口内,所述第二导电图案邻接所述第一开口内的所述第一介电层的侧壁和所述第一开口内的所述第二介电层的侧壁;

其中,所述第一导电图案包括连接部,所述连接部具有第二开口,所述第二开口限定了所述第一介电层内的所述第一开口的一部分,所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述连接部包括具有所述第二开口的环。

3.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述连接部包括矩形、三角形、六边形、八边形或者它们的组合。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述连接部具有环绕所述第二开口的连续部。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述连接部具有围绕所述第二开口的非连续部。

6.根据权利要求1所述的封装结构,其中,所述第二导电图案包括晶种层和位于所述晶种层上方的主层。

7.根据权利要求1所述的封装结构,进一步包括:

外部电连接件,位于所述第二导电图案上;以及

支撑材料,位于所述第二介电层和所述第二导电图案上方并且围绕所述外部电连接件的至少一部分。

8.一种封装结构,包括:

封装件,包括:

管芯,包括焊盘;

密封剂,围绕所述管芯,及

电介质多层结构,位于所述管芯和所述密封剂上方,所述电介质多层结构包括位于所述电介质多层结构中的第一导电图案和位于所述电介质多层结构上的第二导电图案,通过所述电介质多层结构限定了到达所述焊盘的第一开口,所述第一导电图案的至少一部分限定了所述第一开口的一部分,所述第二导电图案的至少一部分位于所述第一开口内并且邻接所述电介质多层结构的侧壁,所述第一导电图案未沿着所述第一开口内的所述电介质多层结构的侧壁延伸;以及

外部电连接件,位于所述封装件上;

其中,所述第一导电图案包括连接部,所述连接部具有第二开口,所述第二开口限定了所述第一开口的一部分,所述连接部的侧壁邻接所述第一开口内的所述第二导电图案。

9.根据权利要求8所述的封装结构,其中,所述连接部包括具有所述第二开口的环。

10.根据权利要求8所述的封装结构,其中,所述连接部具有环绕所述第二开口的连续部。

11.根据权利要求8所述的封装结构,其中,所述第一导电图案和所述第二导电图案中的每一个均包括晶种层和位于所述晶种层上方的主层。

12.一种封装结构的形成方法,包括:

使用密封剂密封管芯,穿过所述密封剂露出所述管芯的焊盘;

在所述密封剂和所述管芯上方形成第一介电层;

在所述第一介电层上方形成第一导电图案;

在所述第一导电图案和所述第一介电层上方形成第二介电层;

在形成所述第一导电图案和所述第二介电层以后,形成穿过所述第二介电层和所述第一介电层到达所述焊盘的开口;以及

在所述第二介电层上方和所述开口内形成第二导电图案。

13.根据权利要求12所述的封装结构的形成方法,其中,所述第一导电图案包括连接部,当形成穿过所述第一介电层的所述开口时,将所述连接部用作掩模。

14.根据权利要求12所述的封装结构的形成方法,其中,所述第一导电图案包括连接部,所述连接部包括环。

15.根据权利要求12所述的封装结构的形成方法,其中,形成所述开口的步骤包括:

对所述第二介电层进行光刻图案化;以及

蚀刻所述第一介电层。

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