[发明专利]一种双栅极光电薄膜晶体管、像素电路及像素阵列

权利要求书

1.一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于包括：

基板；

暗栅极，设置在该基板上；该暗栅极由金属或金属合金制作；

第一介电层，设置在该基板上并覆盖住该暗栅极；

源极与漏极，设置在该第一介电层上并对应地与该第一介电层的两端相接触；

沟道层，设置在该第一介电层上并覆盖该源极与该漏极；

第二介电层，设置在该沟道层上；

光栅极，设置于该第二介电层上；

其中，该光栅极由导电的透明电极材料制作。

2.根据权利要求1所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：该基板为玻璃或塑料基板。

3.根据权利要求2所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：该光栅极包含铟锡氧化物、銦鋅氧化物、铝掺杂氧化锌或薄膜金属，该暗栅极包含钼、铬或者铝等或其合金。

4.根据权利要求3所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：该沟道层由非晶硅或其它半导体薄膜材料制作形成。

5.根据权利要求4所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：该第一介电层与该第二介电层由氧化硅薄膜或氮化硅薄膜材料制作形成。

6.根据权利要求5所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：该第一介电层与该第二介电层的厚度范围为10纳米到1微米。

7.根据权利要求6所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：该沟道层的厚度范围为五十纳米到一个微米。

8.根据权利要求7所述的一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于：还包括设置在光栅极上的增透膜，该增透膜为单层或多层结构。

9.一种双栅极光电薄膜晶体管，其特征在于包括：

基板，该基板为玻璃基板；

光栅极，设置于该基板上；

第一介电层，设置于该基板上并覆盖住该光栅极；

源极与漏极，设置在该第一介电层上并对应地与该第一介电层的两端相接触；

沟道层，设置于该第一介电层上并覆盖该源极与该漏极；

第二介电层，设置于该沟道层上；

暗栅极，设置于该第二介电层上；

其中，该光栅极由导电的透明电极材料制作，该暗栅极由金属或金属合金制作。

10.一种像素电路，其特征在于：该像素电路包括如权利要求1至权利要求9中任一权利要求所述的双栅极光电薄膜晶体管、重置端、读取端、偏置端以及数据输出端；该重置端与晶体管的光栅极电连接，该读取端与晶体管的暗栅极电连接，该偏置端与晶体管的源极电连接，该数据输出端与晶体管的漏极电连接。

11.根据权利要求10所述的一种像素电路，其特征在于：该晶体管的源极与暗栅极短接。

12.一种像素阵列，其特征在于：包括多个如权利要求11中所述的一种像素电路，每个像素电路的晶体管对应一个像素点；其中，同一行像素电路的重置端相互电连接；同一行像素电路的读取端相互电连接；同一列像素电路的数据输出端相互电连接；扫描时，读取端选择需扫描像素点的行，数据输出端输出每一列中被选择的像素的信号。