[发明专利]磁传感装置的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410029941.8 申请日: 2014-01-22
公开(公告)号: CN104793156B 公开(公告)日: 2018-08-31
发明(设计)人: 杨鹤俊;张挺;邱鹏 申请(专利权)人: 上海矽睿科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 代理人: 王松
地址: 201815 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传感 装置 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种磁传感装置的制备方法,其特征在于:

所述磁传感装置为三轴磁传感装置,三轴磁传感装置包括Z轴磁传感器,所述制备方法包括制备Z轴磁传感器的步骤,具体包括:

步骤1、在基底上沉积第一绝缘介质材料,形成第一绝缘介质层,第一绝缘介质层为一层或者多层;在第一绝缘介质层表面上形成沟槽;

步骤2、在形成沟槽的第一绝缘介质层上沉积磁性材料,形成磁性材料层,磁性材料层的一部分位于第一绝缘介质层表面,另一部分位于沟槽内;

步骤3、在所述磁性材料层上沉积一层或多层缓冲层;所述缓冲层的材料为晶粒比第二绝缘介质层材料小的薄膜,为金属或非金属;所述缓冲层的材料为TaN;

步骤4、在缓冲层上沉积第二绝缘介质层;第二绝缘介质层为单层或者多层;

步骤5、通过光刻与刻蚀工艺将第二绝缘介质层打开,并且停在缓冲层上,或者停在磁性材料层上;

步骤6、接着去除光刻胶;

步骤7、通过刻蚀工艺将磁性材料层打开;

步骤8、在第二绝缘介质层上沉积第三层介质层;

步骤9、通过光刻与刻蚀工艺,形成磁传感器图形;

步骤10、沉积第四层介质层;

步骤11、通过光刻与刻蚀工艺,将所需要的与电极层连接的部分打开,刻蚀停在缓冲层上,然后沉积金属层;

所述Z轴磁传感器包括感应单元、导磁单元;

所述导磁单元的主体部分设置于沟槽内,并有部分露出沟槽至基底表面,用以感应第三方向的磁信号,并将该磁信号输出到感应单元进行测量;

所述感应单元设置于基底上,用以测量第一方向或/和第二方向的磁场,结合导磁单元输出的磁信号,能测量被导磁单元引导到第一方向或/和第二方向测量的第三方向磁场;第一方向、第二方向、第三方向两两相互垂直。

2.根据权利要求1所述的磁传感装置的制备方法,其特征在于:

所述步骤1中,第一绝缘介质层为SiN材料;步骤2中,磁性材料层为NiFe材料;步骤4中,第二绝缘介质层为SiN材料。

3.根据权利要求1或2所述的磁传感装置的制备方法,其特征在于:

所述缓冲层的厚度在之间。

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