[发明专利]像素单元和阵列基板有效

专利信息
申请号: 201410028576.9 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN103760723A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 吕启标;姚晓慧 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1362
代理公司: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 刘敏
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 单元 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,尤其是涉及一种像素单元和具有该像素单元的阵列基板。

背景技术

薄膜晶体场效应管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)技术,作为目前主流的显示器制造技术得到了广泛应用。随着制造技术的不断进步,液晶显示器的分辨率也越来越高,从原来的非常普及的高清(1366x768)到全高清(1920x1080),再到目前广受消费者欢迎的4K2K(3840x2160)电视,甚至接下来将会推出的8K4K(7680x4320)分辨率电视。

液晶显示器分辨率的提高意味着它的像素单元越来越小,设计和制造的难度越来越大,各种走线之间的距离会越来越小,从而导致各种各样的问题,像素暗纹就是其中之一。

像素暗纹,是指像素单元中靠近过孔(Via hole)的开口区,在液晶面板正常显示时不能正常透光。如图1所示为现有技术中的像素单元主(main)区的结构示意图,所述像素单元包括若干像素电极和焊盘20,像素电极包括若干斜向延伸的斜向像素电极11和横向延伸的横向像素电极12,焊盘20覆盖于过孔30上,像素电极靠近过孔30的地方为开口区,由于像素单元较小,焊盘20进入了开口区并与斜向像素电极11的投影部分重合,从而焊盘20和横向像素电极12等导电部件对斜向像素电极11的电场造成干扰。如图1a所示,为利用Expert LCD软体对像素单元主区的穿透率进行模拟得到的模拟效果图,图中灰白色代表透光,黑色代表不透光,圆圈标示处显示开口区出现了暗纹。

如图2所示为现有技术中的像素单元子(sub)区的结构示意图,图中进入开口区的为像素单元的公共电极40,该公共电极40与斜向像素电极11的投影部分重合,从而公共电极40和横向像素电极12等导电部件对斜向像素电极11的电场造成了干扰。如图2a所示,为利用Expert LCD软体对像素单元子区的穿透率进行模拟得到的模拟效果图,图中灰白色代表透光,黑色代表不透光,圆圈标示处显示开口区出现了暗纹。

因此,现技术中像素单元开口区周边电场会对斜向像素电极电场产生影响,使得开口区产生了暗纹现象,暗纹的出现则直接导致像素的开口率降低,导致面板的穿透率下降,另外还有可能导致沙沙状姆拉等其他显示问题,降低了显示质量。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种像素单元和阵列基板,旨在降低对斜向像素电极电场的影响,提升显示质量。

为达以上目的,本发明提出一个总的发明构思,即通过减小位于像素单元开口区的非斜向像素电极的导电部件的面积,来降低对开口区周边电场对斜向像素电极电场的影响,进而减小对开口区液晶导向的影响,从而改善像素暗纹现象,提高像素的开口率,提升显示质量。其中,所述导电部件可以是位于开口区并与斜向像素电极的投影部分重合的导电单元,或者是位于斜向像素电极边缘且横向延伸的横向像素电极。

据此,本发明提出一种像素单元,包括:

若干像素电极,其包括斜向延伸的斜向像素电极和位于所述斜向像素电极边缘且横向延伸的横向像素电极,所述若干像素电极组成显示区域,所述显示区域具有一开口区;

导电单元,其位于所述开口区并与所述斜向像素电极的投影部分重合,所述导电单元靠近所述斜向像素电极的一角为缺角或圆角。

优选地,所述导电单元为焊盘或公共电极。在像素单元主区时,所述焊盘位于所述开口区并与所述斜向像素电极的投影部分重合,此时所述焊盘即为导电单元;在像素单元子区时,所述公共电极位于所述开口区并与所述斜向像素电极的投影部分重合,此时所述公共电极即为导电单元。

优选地,所述导电单元为焊盘,所述横向像素电极与所述焊盘的投影部分重合,且所述横向像素电极于二者投影衔接处向远离所述开口区方向斜向延伸一支脚,所述支脚与所述斜向像素电极平行。

优选地,所述导电单元为公共电极,所述像素单元还包括一靠近所述开口区的焊盘,所述横向像素电极与所述焊盘的投影部分重合,且所述横向像素电极于二者投影衔接处向远离所述开口区方向斜向延伸一支脚,所述支脚与所述斜向像素电极平行。

优选地,所述横向像素电极位于所述开口区的部分在靠近所述斜向像素电极的一侧具有一缺口。

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