[发明专利]电离层延迟获取方法和装置

权利要求书

1.一种电离层延迟获取方法，其特征在于，包括：

获取穿刺点的位置；

获取所述穿刺点位置对应的格网电离层参数；

根据所述穿刺点的位置和对应的格网电离层参数，确定所述穿刺点的垂直电离层延迟。

2.根据权利要求1所述的电离层延迟获取方法，其特征在于，所述获取穿刺点的位置包括：

计算卫星在接收站的站心坐标系下的坐标；

计算所述接收机的大地经、纬度和高度；

计算所述卫星的仰角和方位角；

根据以下表达式计算电离层穿刺点处的地心夹角：

Q_IPP=arccos(r₂₀₀₀×cosβ/(r₂₀₀₀+350000-h))-β，

其中，r₂₀₀₀为地球半径，β是卫星的仰角，h为接收机的高度；

根据以下表达式计算所述穿刺点处的大地经、纬度：

B_IPP=arcsin(sinβ×cos(Q_IPP)+cosβ×sin(Q_IPP)×cosα，

L_IPP=L+arcsin(sin(Q_IPP)×sinα/cos(B_IPP))，

其中，B为接收机的纬度，L为接收机的经度，α为卫星的方位角，B_IPP为电离层穿刺点处的大地纬度，L_IPP为电离层穿刺点处的大地经度，sin和cos分别为正弦函数和余弦函数，arcsin为反正弦函数；

根据以下表达式将所述穿刺点处的大地经、纬度转换为地心经、纬度，根据所述地心经、纬度确定所述穿刺点的位置：

B^*_IPP=arctan((1-r₂₀₀₀)×(1-r₂₀₀₀)×tan(B_IPP))，

L^*_IPP=L_IPP，

其中，B^*_IPP为电离层穿刺点处的地心纬度，L^*_IPP为电离层穿刺点处的地心经度，r₂₀₀₀为r₂₀₀₀椭球的扁率的倒数，tan和arctan分别为正切函数和反正切函数。

3.根据权利要求1所述的电离层延迟获取方法，其特征在于，获取所述穿刺点位置对应的格网电离层参数包括：

获取原始导航电文；

如果原始导航电文进行了加密，则将所述原始导航电文按统一格式传送至解密芯片，由所述解密芯片对所述原始导航电文进行解密，得到解密后的导航电文，将所述解密后导航电文按统一格式传送到PRM芯片，

如果原始导航电文没有进行加密，则将所述原始导航电文按统一格式传送至PRM芯片；

所述PRM芯片解析原始导航电文，得到导航电文；

对所述导航电文进行解析，得到格网电离层参数。

4.根据权利要求1所述的电离层延迟获取方法，其特征在于，根据所述穿刺点的位置和对应的格网电离层参数，确定所述穿刺点的垂直电离层延迟包括：

确定所述穿刺点所在的格网的网格；

根据所述网格顶点的格网电离层参数中的电离层延迟数据进行加权内插计算，得到所述穿刺点的垂直电离层延迟。

5.根据权利要求2所述的电离层延迟获取方法，其特征在于，根据所述穿刺点的位置和对应的格网电离层参数，确定所述穿刺点的垂直电离层延迟的步骤之后，还包括：

将所述穿刺点的垂直电离层延迟转换为实际传播路径上的延迟。