[发明专利]一种退饱和检测电路、包含其的电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201410028258.2 申请日: 2014-01-21
公开(公告)号: CN103944367B 公开(公告)日: 2017-09-19
发明(设计)人: 罗伯特·安东尼·卡特尔 申请(专利权)人: 尼得科控制技术有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02M1/092
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 陈炜,李德山
地址: 英国波*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 饱和 检测 电路 包含 及其 操作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种具有退饱和检测输入和软关断能力的功率晶体管(如绝缘栅极双极晶体管(IGBT))栅极驱动光耦集成电路(IC)的可靠的Vce检测接口,特别地,涉及一种退饱和检测电路、包含其的电路及其操作方法。

背景技术

逆变器功率电路的短路故障会造成绝缘栅双极晶体管(IGBT)的集电极电流上升到一个非正常的高水平电流值,从而引起绝缘栅双极晶体管(IGBT)退出饱和状态。

具有退饱和检测和软关断功能的商用化栅极驱动光耦集成电路(IC),例如Avago ACPL331J、HCPL-316J和Renesas PS9402等,但它们的缺点是内部有一个固定的退饱和输入阈值,在一些设计中该数值最低达到6.0V。

图1给出了现有技术中一种具有退饱和故障检测的栅极驱动光耦产品,Avago ACPL-331J10。Avago ACPL-331J具有软关断功能。栅极驱动光耦集成电路10的DESAT插脚(插脚14)监控绝缘栅极双极晶体管(IGBT)20的集电极-发射极电压Vce。当短路发生并且绝缘栅极双极晶体管(IGBT)20流过的电流非常大时,绝缘栅极双极晶体管(IGBT)将进入退饱和模式并且其集电极-发射极电压Vce将会上升。一旦电压Vce超出集成电路(IC)的内部退饱和故障检测阈值电压时,栅极驱动光耦集成电路10将检测到故障。当DESAT插脚(插脚14)检测到故障时,将接通在输出驱动阶段的一个弱下拉装置以“软”关断绝缘栅极双极晶体管(IGBT)从而可防止大的di/dt感应电压。

在如图1所示的传统设计中,二极管D1和D2(即为人所知的Vce检测二极管或DESAT二极管)通过电阻R2直接连接到栅极驱动光耦集成电路(IC)10的DESAT输入(插脚14),电阻R2的典型/建议值为100Ω。由电阻R1和电容C1组成的间隔时间滤波器,典型数值为1k到4.7kΩ及1n到4.7nF,并分别提供几个微秒的间隔时间。在一些方案中,电容C1可能被设置为低至100pF并且省略R1,但这种方法会引起设计的抗噪能力问题。

VE是电源轨GD_V+和GD_V-的公共电压(一般为0V),而VE连接到IC(插脚16),并连接到IGBT20的发射极E。

绝缘栅双极晶体管IGBT模块工作时的典型Vce饱和电压为如1.5倍至2倍的额定电流并当工作在最大额定工作温度时,典型的Vce饱和电压可能超过3V。考虑到模块构造,若产品扩展并且内部电压下降,则饱和电压会更高。

Desat输入的设计裕量可以由以下公式计算:

VOH是栅极驱动光耦集成电路(IC)10的输出高压。VD1(和VD2)是退饱和(DESAT)二极管D1(和第二退饱和二极管D2(若提供的话))开通状态下的正向电压。一般选择具有至少1000V反向额定电压的二极管,然而这些二极管的正向额定电压通常比标准的低压装置高。退饱和二极管可能包括一个或多个二极管。可能提供多个串联的DESAT二极管或提供单个的DESAT二极管。

若栅极驱动光耦集成电路(IC)输出高电压,VOH为15V,VCE_sat电压为3V且选择阻值为1kΩ的电阻R1,Desat输入的设计裕量可由以下公式计算:

退饱和电压VDESAT可由以下公式计算:

VDESAT=VOH-R1×ID(2)

VDESAT=15-1k×9.45=5.55V

VDesat_Headroom=VDESAT_Threshold_Min-VDESAT (3)

其中VDESAT_Threshold_Min为固定在栅极驱动光耦集成电路(IC)内的、最小内部阈值电压。

VDesat_Headroom=6-5.55=0.45V

通过这些计算表明,设计裕量小于0.5V,或如果绝缘栅双极晶体管(IGBT)的最大Vce饱和电压高达3.5V时,则设计裕量可以更低。这会导致栅极驱动光耦集成电路(IC)的误动作并引起逆变器功率电路设计的可靠性问题。

通常情况下,Vce阈值电压的可行的设计数值在7V到13V之间。

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