[发明专利]基底剥离装置、剥离基底的方法及制造显示装置的方法

权利要求书

1.一种用于剥离基底的方法，所述方法包括：

给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；

将第二基底与第一基底分离；

测量与第二基底分离的第一基底的光学性质；以及

基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度，

其中，光学性质包括第一基底的透光率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括：

给第一基底提供测试光使得测试光穿过第一基底；

接收穿过第一基底的测试光；以及

从接收的测试光计算第一基底的透光率。

2.根据权利要求1所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括：如果透光率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。

3.根据权利要求1所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括：如果透光率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。

4.一种用于剥离基底的方法，所述方法包括：

给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；

将第二基底与第一基底分离；

测量与第二基底分离的第一基底的光学性质；以及

基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度，

其中，光学性质包括光反射率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括：

给第一基底提供测试光，从而使测试光从第一基底反射；

接收从第一基底反射的测试光；以及

利用提供给第一基底的测试光的第一强度和从第一基底反射的测试光的第二强度来计算光反射率。

5.根据权利要求4所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括：如果光反射率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。

6.根据权利要求4所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括：如果光反射率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。

7.一种用于剥离基底的方法，所述方法包括：

给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；

将第二基底与第一基底分离；

测量与第二基底分离的第一基底的光学性质；以及

基于第一基底的光学性质调节激光的功率密度，

其中，光学性质包括回射率，并且测量第一基底的光学性质的步骤包括：

给第一基底提供测试光，从而使测试光沿着第一方向穿过第一基底；

将穿过第一基底的测试光反射到第一基底，使得反射的测试光沿着与第一方向相反的第二方向穿过第一基底；

接收沿着第二方向穿过第一基底的测试光；以及

从提供给第一基底的测试光的第一强度和沿着第二方向穿过第一基底的测试光的第二强度来计算回射率。

8.根据权利要求7所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括：如果回射率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。

9.根据权利要求7所述的用于剥离基底的方法，其中，调节激光的功率密度的步骤包括：如果回射率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。

10.根据权利要求1、4或7所述的用于剥离基底的方法，其中，第二基底包括柔性基体材料和布置在柔性基体材料上的薄膜晶体管层。

11.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括：

给基底结合体提供具有功率密度的激光，其中，基底结合体包括第一基底和结合到第一基底的第二基底；

测量基底结合体的反射率；

将第二基底与第一基底彼此分离；以及

基于反射率调节激光的功率密度，

其中，将激光提供给第一基底的表面，并且测量基底结合体的反射率的步骤包括：

给基底结合体提供光，从而使光从基底结合体反射；

接收从基底结合体反射的光；以及

从接收的测试光计算反射率。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，如果反射率小于预定的参考范围，则降低激光的功率密度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，如果反射率大于预定的参考范围，则增加激光的功率密度。