[发明专利]一种太赫兹波气体浓度传感装置有效
| 申请号： | 201410026365.1 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103776796A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 洪治;陈涛;刘建军;刘平安 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | G01N21/3586 | 分类号： | G01N21/3586;G01N21/3504 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 陈昱彤 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 气体 浓度 传感 装置 | ||
1.一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：包括品质因子大于5000的一维光子晶体谐振腔和气室，所述一维光子晶体谐振腔包括半导体基片、气体层和缺陷层，半导体基片的数量为大于等于6的偶数个；所述缺陷层由气体构成，所述缺陷层与所述气室连通，所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片，且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述气体层；所述气体层与所述气室通过支撑环相连通；所述气室设有进气口和出气口。
2.一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：由一个品质因子大于5000的一维光子晶体谐振腔和一个气室组成，所述一维光子晶体谐振腔由半导体基片、气体层和缺陷层构成，半导体基片的数量为大于等于6的偶数个；所述缺陷层由气体构成，所述缺陷层与所述气室连通，所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片，且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述气体层；所述气体层与所述气室通过支撑环相连通；所述气室设有进气口和出气口。
3.根据权利要求1或2所述的一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：所述缺陷层的厚度为1mm~30mm。
4.根据权利要求1或2所述的一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：所述支撑环的厚度相同。
5.根据权利要求1或2所述的一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：所述半导体基片的数量为6个。
6.根据权利要求1或2所述的一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：所述半导体基片为高阻硅、砷化镓或磷化铟。
7.根据权利要求1或2所述的一种太赫兹波气体浓度传感装置，其特征在于：所述气室设有两个太赫兹波窗口，使得太赫兹波从其中一个太赫兹波窗口进入气室，从另一个太赫兹波窗口离开气室，所述一维光子晶体谐振腔置于所述气室中所述两个太赫兹波窗口之间，且太赫兹波以正入射方式通过所述一维光子晶体谐振腔中的各所述半导体基片。
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