[发明专利]降压式直流变换器有效

专利信息
申请号: 201410026107.3 申请日: 2014-01-20
公开(公告)号: CN103731029B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 朱品华;王再兴 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02M3/10 分类号: H02M3/10;H02M1/44
代理公司: 北京亿腾知识产权代理事务所11309 代理人: 李楠
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 降压 直流 变换器
【权利要求书】:

1.一种降压式直流变换器,其特征在于,所述降压式直流变换器包括:第一开关管、第二开关管、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电感、第二电感;

所述第一开关管的第一端与输入电源的正极、所述第二二极管的负极相连接,所述第一开关管的第二端与所述第二二极管的正极、所述第二开关管的第一端、所述第三二极管的负极、所述第一电容的第一端相连接;

所述第二开关管的第二端与所述第三二极管的正极、所述第一电感的第一端、所述第二电容的第一端相连接,所述第一电感的第二端与所述第一电容的第二端、所述第一二极管的负极相连接;

所述第一二极管的正极通过第二电容与输入电源的负极、所述第二电容的第二端相连接;

其中,所述第一开关管的驱动信号和所述第二开关管的驱动信号为互补信号,并且所述第一开关管的驱动信号和第二开关管的驱动信号之间存在死区;

当所述第一开关管导通时,所述输入电源为所述第一电感和所述第一电容充电;当所述第一开关管关断、所述第二开关管也关断时,所述第一电感通过所述第三二极管续流,并对所述第一电容充电;当所述第二开关管导通时,由于与所述第二开关管并联的所述第三二极管处于导通状态,因此所述第二开关管的导通实现了零电压开关,随着所述第二开关管保持导通状态,所述第一电感、所述第一电容通过所述第二开关管、所述第一二极管对所述第二电容放电,实现电压输出;当所述第二开关管关断时,所述第二电感通过所述第二二极管续流,并对所述第二电容放电,实现电压输出;当所述第一开关管导通时,由于与所述第一开关管并联的所述第二二极管处于导通状态,因此所述第一开关管的导通实现了零电压开关。

2.根据权利要求1所述的降压式直流变换器,其特征在于,当所述输入电源同步整流时,所述电路还包括整流开关管,并且所述整流开关管与所述第二开关管同相驱动。

3.根据权利要求2所述的降压式直流变换器,其特征在于,所述输入电源同步整流具体为:所述第一二极管替换为金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET,并且所述替换后的MOSFET在电流方向与体二极管方向一致时导通。

4.根据权利要求1或2所述的降压式直流变换器,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管为金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET;或者,

所述第一开关管和所述第二开关管为绝缘栅双极型晶体管IGBT;或者,

所述第一开关管和所述第二开关管为双极结型晶体管BJT。

5.根据权利要求1所述的降压式直流变换器,其特征在于,所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管为独立的半导体二极管,或者为MOSFET器件的寄生二极管。

6.根据权利要求1-5任一项所述的降压式直流变换器,所述降压式直流变换器还包括第三电容;

所述第三电容的第一端与输入电源的正极相连接,所述第三电容的第二端与所述第二电容的第一端相连接;

所述第三电容为滤波电容,用于对所述输入电源的电压和输出的电源电压实现滤波功能。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华为技术有限公司,未经华为技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410026107.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top