[发明专利]降压式直流变换器有效
申请号: | 201410026107.3 | 申请日: | 2014-01-20 |
公开(公告)号: | CN103731029B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 朱品华;王再兴 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H02M3/10 | 分类号: | H02M3/10;H02M1/44 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所11309 | 代理人: | 李楠 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 降压 直流 变换器 | ||
1.一种降压式直流变换器,其特征在于,所述降压式直流变换器包括:第一开关管、第二开关管、第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电感、第二电感;
所述第一开关管的第一端与输入电源的正极、所述第二二极管的负极相连接,所述第一开关管的第二端与所述第二二极管的正极、所述第二开关管的第一端、所述第三二极管的负极、所述第一电容的第一端相连接;
所述第二开关管的第二端与所述第三二极管的正极、所述第一电感的第一端、所述第二电容的第一端相连接,所述第一电感的第二端与所述第一电容的第二端、所述第一二极管的负极相连接;
所述第一二极管的正极通过第二电容与输入电源的负极、所述第二电容的第二端相连接;
其中,所述第一开关管的驱动信号和所述第二开关管的驱动信号为互补信号,并且所述第一开关管的驱动信号和第二开关管的驱动信号之间存在死区;
当所述第一开关管导通时,所述输入电源为所述第一电感和所述第一电容充电;当所述第一开关管关断、所述第二开关管也关断时,所述第一电感通过所述第三二极管续流,并对所述第一电容充电;当所述第二开关管导通时,由于与所述第二开关管并联的所述第三二极管处于导通状态,因此所述第二开关管的导通实现了零电压开关,随着所述第二开关管保持导通状态,所述第一电感、所述第一电容通过所述第二开关管、所述第一二极管对所述第二电容放电,实现电压输出;当所述第二开关管关断时,所述第二电感通过所述第二二极管续流,并对所述第二电容放电,实现电压输出;当所述第一开关管导通时,由于与所述第一开关管并联的所述第二二极管处于导通状态,因此所述第一开关管的导通实现了零电压开关。
2.根据权利要求1所述的降压式直流变换器,其特征在于,当所述输入电源同步整流时,所述电路还包括整流开关管,并且所述整流开关管与所述第二开关管同相驱动。
3.根据权利要求2所述的降压式直流变换器,其特征在于,所述输入电源同步整流具体为:所述第一二极管替换为金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET,并且所述替换后的MOSFET在电流方向与体二极管方向一致时导通。
4.根据权利要求1或2所述的降压式直流变换器,其特征在于,所述第一开关管和所述第二开关管为金属-氧化层-半导体-场效晶体管MOSFET;或者,
所述第一开关管和所述第二开关管为绝缘栅双极型晶体管IGBT;或者,
所述第一开关管和所述第二开关管为双极结型晶体管BJT。
5.根据权利要求1所述的降压式直流变换器,其特征在于,所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管为独立的半导体二极管,或者为MOSFET器件的寄生二极管。
6.根据权利要求1-5任一项所述的降压式直流变换器,所述降压式直流变换器还包括第三电容;
所述第三电容的第一端与输入电源的正极相连接,所述第三电容的第二端与所述第二电容的第一端相连接;
所述第三电容为滤波电容,用于对所述输入电源的电压和输出的电源电压实现滤波功能。
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