[发明专利]一种具有高透过率的低辐射玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高透过率的低辐射玻璃，包括玻璃基片和功能膜层，其特征在于：所述功能膜层包括YZO膜层和Ag层，其中，YZO膜层指的是氧化锌掺钇膜层。

2.根据权利要求1所述的具有高透过率的低辐射玻璃，其特征在于：所述YZO膜层是以YZO陶瓷靶为原材料，通过磁控溅射方法制备而成，制备过程中真空度达到4～8×10^-3mbar后，使用中频交流电源溅射YZO陶瓷靶制备YZO膜层，其中YZO陶瓷靶中的Y₂O₃的质量分数为1-3%，Al₂O₃的质量分数为0%-1%，其余成分为ZnO，且其中的Y₂O₃、ZnO以及Al₂O₃的纯度分别为99.99%以上。

3.根据权利要求1或2所述的具有高透过率的低辐射玻璃，其特征在于：所述功能膜层由SiN_x/YZO/Ag/YZO/SiN_x膜层结构组成。

4.根据权利要求3所述的具有高透过率的低辐射玻璃，其特征在于：功能膜层中各膜层的厚度依次为36.1nm、8.5nm、9.3nm、8.2nm、29.3nm。

5.根据权利要求1或2所述的具有高透过率的低辐射玻璃，其特征在于：所述功能膜层由SiN_x/ZnAlO_x/Ag/YZO/SiN_x/ZnAlO_x/Ag/NiCr/SiN_x膜层结构组成。

6.根据权利要求5所述的具有高透过率的低辐射玻璃，其特征在于：所述功能膜层中各膜层的厚度依次为16.7nm、17.7nm、7.5nm、15.8nm、14.1nm、52.7nm、12.9nm、1.2nm、18.8nm。

7.根据权利要求1或2所述的具有高透过率的低辐射玻璃，其特征在于：所述功能膜层由SnZnO/ZnAlO_x/Ag/YZO/ZnAlO_x/Ag/YZO/SiN_x膜层结构组成，优选的，功能膜层中各膜层的厚度依次为22.4nm、17.7nm、8.3nm、54.3nm、14.1nm、11.2nm、8.1nm、18.0nm。

8.一种制备如权利要求3或4所述的具有高透过率的低辐射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步骤，玻璃基片清洗—进入真空腔室—逐层进行磁控溅射—恢复大气—下片；其中，逐层进行磁控溅射阶段，Ag层是通过直流脉冲电源磁控溅射沉积，其余膜层是使用中频交流电源加旋转阴极溅射沉积；Ag层中气体流量为，Ar为1000sccm；SiN_x层中的气体流量是：Ar为600sccm，N₂为600sccm；YZO层中的气体流量为，Ar为1200sccm。

9.一种制备如权利要求5或6所述的具有高透过率的低辐射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步骤，玻璃基片清洗—进入真空腔室—逐层进行磁控溅射—恢复大气—下片；其中，逐层进行磁控溅射阶段，Ag层和NiCr层是通过平面靶直流脉冲电源溅射沉积，其余膜层是旋转靶中频电源加旋转阴极溅射沉积；ZnAlOx层溅射气氛为Ar：500sccm，O₂：800sccm；NiCr靶和Ag靶为纯氩溅射制备相应膜层，Ar气流量为1000sccm；YZO层中的气体流量为，Ar为1200sccm；SiN_x层中的气体流量是：Ar为600sccm，N₂为600sccm。

10.一种制备如权利要求7所述的具有高透过率的低辐射玻璃的方法，其特征在于：包括如下步骤，玻璃基片清洗—进入真空腔室—逐层进行磁控溅射—恢复大气—下片；其中，逐层进行磁控溅射，Ag层是通过平面靶直流脉冲电源溅射沉积，ZnAlOx层和SnZnO层分别是通过对ZnAl靶和ZnSn靶进行反应溅射制备而成，其余膜层是旋转靶中频电源加旋转阴极溅射沉积；ZnAl和ZnSn靶的溅射气氛为Ar：500sccm，O₂：800sccm；Ag层为纯氩溅射制备相应膜层，Ar气流量为1000sccm；YZO层中的气体流量为，Ar为1200sccm；SiN_x层中的气体流量是：Ar为600sccm，N₂为600sccm。