[发明专利]再利用硅片的制绒方法有效
| 申请号： | 201410024937.2 | 申请日： | 2014-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730347B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 符昌京;许明金;方菊英;王家道;王川;聂文广;王庆森;曾德栋;邱维运 | 申请（专利权）人： | 海南英利新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 海南省海口市国家高新技术*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 再利用 硅片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种再利用硅片的制绒方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10：将制绒设备或湿法刻蚀设备的工艺槽的顶槽内的药液排空；
步骤S20：使再利用硅片经过所述工艺槽后进入碱洗槽进行碱洗；
步骤S30：使碱洗后的所述再利用硅片进入酸槽。
2.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述工艺槽内设有相对设置的上滚轮和下滚轮，在所述步骤S10中，所述药液排空后清洗所述上滚轮和所述下滚轮，以去除所述上滚轮和所述下滚轮上残留的所述药液。
3.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，在所述步骤S20中，使所述再利用硅片的制绒面朝下经过所述上滚轮和所述下滚轮。
4.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述步骤S20和步骤S30之间以及所述步骤S30之后还包括水洗步骤。
5.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述工艺槽内置有HNO3和HF的混合溶液。
6.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述碱洗槽内置有KOH溶液。
7.根据权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述制绒设备的酸槽内置有HCL和HF的混合溶液；所述湿法刻蚀设备的酸槽内置有HF溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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