[发明专利]利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法在审
| 申请号： | 201410024654.8 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103741220A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;李先磊;张雷;邵永亮;吴拥中;戴元滨;田媛;霍勤 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 石墨 氧化 生长 质量 氮化 晶体 方法 | ||
1.一种利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，包括以下步骤：
（1）配制浓度为0.005-0.1mg/ml的石墨烯纳米片分散液，或浓度为0.001-0.02mg/ml的氧化石墨烯纳米片分散液；石墨烯纳米片分散液是将石墨烯纳米片分散在N，N-二甲基甲酰胺或N-甲基吡咯烷酮中；氧化石墨烯纳米片分散液是将氧化石墨烯纳米片分散在超纯水中；
（2）将配好的石墨烯纳米片分散液或氧化石墨烯纳米片分散液直接涂于用于制备GaN晶体的衬底上，烘干后待用，烘干方法是在真空干燥箱内80℃-200℃干燥1-8小时；
（3）将制备好的衬底放入氢化物气相外延系统中进行GaN晶体外延生长。
2.根据权利要求1所述的利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，所述步骤（1）中石墨烯分散液的浓度为0.01-0.05mg/ml。
3.根据权利要求1所述的利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，所述步骤（1）中氧化石墨烯纳米片分散液优选的浓度为0.005-0.008mg/ml。
4.根据权利要求1所述的利用石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，所述步骤（2）中对于石墨烯纳米片分散液优选的烘干方法是在真空干燥箱内120℃-180℃干燥2-4小时。
5.根据权利要求1所述的利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，所述步骤（2）中对于氧化石墨烯纳米片分散液烘干方法是在真空干燥箱内40℃-120℃干燥1-8小时。
6.根据权利要求1所述的利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法，其特征是，所述步骤（2）中对于氧化石墨烯纳米片分散液烘干方法是在真空干燥箱内80℃-120℃干燥2-3小时。
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