[发明专利]实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法及其装置有效
| 申请号: | 201410022825.3 | 申请日: | 2014-01-17 |
| 公开(公告)号: | CN104794253B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
| 发明(设计)人: | 刘成利;陈子贤;刘明 | 申请(专利权)人: | 京微雅格(北京)科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所11309 | 代理人: | 陈霁 |
| 地址: | 100083 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 实现 芯片 内部 模拟 模块 干扰 供电 方法 及其 装置 | ||
1.实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
在芯片四周接口以外的空间做一电源环,所述芯片包括N个,所述电源环包括N层金属环,第一层和第N层分别为单一金属环,第二层至N-1层分别包括三个金属子环,分别为第一、第二和第三金属子环;
将所述电源环的第N层接地,第一层、第N层和第二层至N-1层中的第一金属子环和第三金属子环通过通孔连接起来接地;
将第二层至N-1部分层中的第二金属子环与接地层金属环隔开,作为信号线或者电源线;
将所述部分层的第三金属子环适当位置断开,将信号线或者电源线通过断开处与芯片内部模拟模块相接。
2.根据权利要求1所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法,其特征在于,所述电源环的材质为铜或铝。
3.根据权利要求1所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法,其特征在于,所述第二层至N-1部分层中的第二金属子环能够形成一条信号线或电源线,其中,部分层为第二层至N-1层,具体如下:
将第二层至N-1层中的第二金属子环与接地层金属环隔开;
将第二层至N-1层中的第二金属子环通过通孔连接起来,形成一条信号线或电源线。
4.根据权利要求1所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法,其特征在于,所述第二层至N-1部分层中的第二金属子环能够形成多条信号线或电源线,具体如下:
将第二层至第N-1一部分层中的第二金属子环与接地层金属环隔开,作为多条信号线或者电源线;
将第二层至第N-1另一部分层中的第二金属子环与其同层的第一金属子环和第三金属子环相接接地,作为多条屏蔽线以保护信号线或者电源线。
5.根据权利要求4所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图方法,其特征在于,所述每条信号线或者电源线的上下层须为屏蔽线层,屏蔽线层数包括一层或者多层。
6.一种实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图装置,包括芯片和电源环,其特征在于,所述芯片四周接口以外的空间设有电源环,所述芯片包括N个,所述电源环包括N层金属环,第一层和第N层分别为单一金属环,第二层至N-1层分别包括三个金属子环,分别为第一、第二和第三金属子环;所述电源环的第N层接地,第一层、第N层和第二层至N-1层中的第一金属子环和第三金属子环通过通孔连接起;第二层至N-1部分层中的第二金属子环与接地层金属环隔开,作为信号线或者电源线;所述部分层的第三金属子环适当位置断开,将信号线或者电源线通过断开处与芯片内部模拟模块相接。
7.根据权利要求6所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图装置,其特征在于,所述电源环的材质为铜或铝。
8.根据权利要求6所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图装置,其特征在于,所述第二层至N-1部分层中的第二金属子环可以形成一条信号线或电源线,其中,部分层为第二层至N-1层,具体如下:
第二层至N-1层中的第二金属子环与接地层金属环隔开;
第二层至N-1层中的第二金属子环通过通孔连接起来,形成一条信号线或电源线。
9.根据权利要求6所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图装置,其特征在于,所述第二层至N-1部分层中的第二金属子环可以形成多条信号线或电源线,具体如下:
第二层至第N-1一部分层中的第二金属子环与接地层金属环隔开,作为信号线或者电源线;
第二层至第N-1另一部分层中的第二金属子环与其同层的第一金属子环和第三金属子环相接接地,作为屏蔽线以保护信号线或者电源线。
10.根据权利要求9所述的实现芯片内部模拟模块无干扰供电的布图装置,其特征在于,所述每条信号线或者电源线的上下层须为屏蔽线层,屏蔽线层数包括一层或者多层。
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