[发明专利]一种TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201410022539.7 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN104792583B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 齐瑞娟;于会生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 目标结构 悬浮薄膜 制备 样品制备过程 观测结果 纳米操作 制备过程 离子束 铜支架 小电流 上端 减薄 探针 粘接 切割 保证 损害 | ||
1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)提供一MEMS样品，所述MEMS样品包含基体和位于基体上与基体相连接的悬浮薄膜结构；
2)使用束流小于100pA的离子束对所述悬浮薄膜结构中的目标结构进行L型或U型切割；
3)使用纳米操作仪的探针粘接所述目标结构；
4)将目标结构与悬浮薄膜结构的连接处切断；
5)将步骤4)之后获得的目标结构转移到一个铜支架上，并使用束流为40～80pA的离子束对目标结构进行细抛减薄，得到所需的TEM样品。
2.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤2)中所述目标结构进行L型或U型切割后，仍保证其有一面与悬浮薄膜结构相连接。
3.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤3)中所述探针通过铂金或者钨沉积的方式与目标结构连接在一起。
4.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤4)中使用离子束将目标结构与悬浮薄膜结构连接处切断。
5.根据权利要求4所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤4)中所述使用离子束的束流小于100pA。
6.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤5)中将所述步骤4)之后获得的目标结构转移到铜支架上的方式为原位吸取。
7.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于：步骤5)中所述步骤4)之后获得的目标结构细抛减薄后的厚度d小于或等于0.1μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410022539.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：烟煤样品块简易制作设备
- 下一篇：一种污染源细颗粒物稀释采样方法及装置
