[发明专利]晶片电阻器

权利要求书

1.一种晶片电阻器，其包括：

一基材，所述基材具有一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；

两个第一电极，所述两个第一电极设置于该第一表面；

两个第二电极，所述两个第二电极设置于该第二表面；

一电阻层，所述电阻层设置于该第一表面，且覆盖部分两个第一电极；

至少一保护层，所述至少一保护层设置于该电阻层上，且覆盖部分两个第一电极，所述至少一保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面；及

至少一镀层，所述至少一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极。

2.根据权利要求1所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第二保护层设置于该第一保护层上，该第二保护层包括至少两个覆盖侧面及至少一覆盖平面。

3.根据权利要求2所述的晶片电阻器，其特征在于：所述第二保护层还包括一显露平面，该显露平面至该第二保护层的一底部的厚度大于该至少一覆盖平面至该第二保护层的该底部的厚度。

4.根据权利要求1所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第一保护层包括至少一覆盖侧面及至少一覆盖平面，该第二保护层设置于该第一保护层上，该第二保护层包括至少一覆盖侧面。

5.根据权利要求4所述的晶片电阻器，其特征在于：所述第二保护层还包括一显露平面，该显露平面至该第一保护层的一底部的厚度大于该第一保护层的该至少一覆盖平面至该第一保护层的该底部的厚度。

6.根据权利要求1所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层，该第一镀层覆盖所述至少两个覆盖侧面、至少一覆盖平面、部分两个第一电极及两个第二电极，该第二镀层覆盖该第一镀层，该第三镀层覆盖该第二镀层。

7.一种晶片电阻器，其包括：

一基材，所述基材具有一第一表面及一第二表面，该第二表面与该第一表面相对；

两个第一电极，所述两个第一电极设置于该第一表面；

两个第二电极，所述两个第二电极设置于该第二表面；

一电阻层，所述电阻层设置于该第一表面，且覆盖部分两个第一电极；

至少一保护层，所述至少一保护层设置于该电阻层上，且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极，该至少一保护层包括至少一覆盖侧面；及

至少一镀层，所述至少一镀层覆盖该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极。

8.根据权利要求7所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一保护层包括一第一保护层及一第二保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第二保护层设置于该第一保护层上，且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极，该第二保护层包括至少一覆盖侧面及一显露平面。

9.根据权利要求8所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层，该第一镀层覆盖部分该显露平面、该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极的侧面及部分两个第二电极，该第二镀层覆盖该第一镀层，该第三镀层覆盖该第二镀层。

10.根据权利要求7所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一保护层包括一第一保护层、一第二保护层及一第三保护层，该第一保护层设置于该电阻层上，该第二保护层设置于该第一保护层上，且完全地覆盖平面上其他的部分两个第一电极，该第二保护层包括至少一覆盖侧面及至少一覆盖平面，该第三保护层设置于该第二保护层上，该第三保护层包括至少一覆盖侧面。

11.根据权利要求10所述的晶片电阻器，其特征在于：所述至少一镀层包括一第一镀层、一第二镀层及一第三镀层，该第一镀层覆盖该第三保护层的该至少一覆盖侧面、该第二保护层的该至少一覆盖平面及该至少一覆盖侧面、两个第一电极的侧面及两个第二电极，该第二镀层覆盖该第一镀层，该第三镀层覆盖该第二镀层。

12.根据权利要求10所述的晶片电阻器，其特征在于：所述第三保护层还包括一显露平面，该显露平面至该第二保护层的一底部的厚度大于该第二保护层的该至少一覆盖平面至该第二保护层的该底部的厚度。