[发明专利]磊晶基板、其制造方法及发光二极管

权利要求书

1.一种磊晶基板，包含一本体，其特征在于：该本体具有相反的一第一表面及一第二表面，该本体的第一表面形成多个凸起部，所述凸起部彼此不相接，且每一凸起部及其相邻凸起部的尺寸为至少部分相互差异。

2.根据权利要求1所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部的对称中心间距相等。

3.根据权利要求1所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部的对称中心间距至少部分不等。

4.根据权利要求1所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部呈圆锥结构或多边形角锥结构。

5.根据权利要求2所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部的高度范围为0.2至2微米，底面的直径或边长的长度范围为0.2至4.8微米，且所述凸起部的对称中心的间距范围为0.5至5微米。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部的尺寸差异主要在于底面的直径或边长的长度。

7.根据权利要求1所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部的形状是由下而上渐缩。

8.根据权利要求1所述的磊晶基板，其特征在于：该本体的材质选自氧化铝、碳化硅、氮化镓、硅及其群组。

9.根据权利要求2所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部是以每三个相邻凸起部的对称中心连线呈正三角形的方式排列。

10.根据权利要求3所述的磊晶基板，其特征在于：所述凸起部主要是由其中一个凸起部于内，其周围的邻近六个凸起部呈六边形的方式排列。

11.一种制造方法，用于制作权利要求1至10中任一项所述的磊晶基板，其特征在于包含以下步骤：

(A)制备一模仁及一未加工的磊晶基板，该未加工的磊晶基板具有一第一表面，该模仁的一表面凹陷形成多个间隔排列的凹部；

(B)设置一可图案层于该未加工的磊晶基板的本体的第一表面，并通过该模仁压印于该可图案层，使该可图案层于对应该模仁的凹部处分别形成一凸起的抗蚀刻结构；

(C)对该磊晶基板的本体的第一表面进行蚀刻，使该磊晶基板的本体的第一表面对应所述抗蚀刻结构处分别形成所述凸起部。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于：该可图案层是使用照光固化或加热固化的材料，于步骤(C)的蚀刻步骤是使用干蚀刻技术，且步骤(C)之后还包含一步骤(D)：去除该可图案层。

13.一种发光二极管，其特征在于，该发光二极管包含：

一如权利要求1至10中任一项所述的磊晶基板；

一缓冲层，设置于该磊晶基板的本体的第一表面；

一第一型半导体层，设置于该缓冲层相反于该磊晶基板的一表面；

一半导体发光层，设置于该第一型半导体层相反于该缓冲层的一表面，主要材质与该第一型半导体层相同；

一第二型半导体层，设置于该半导体发光层相反于该第一型半导体层的一表面，主要材质相同于该第一型半导体层及该半导体发光层，且电性与该第一型半导体层相异；及

两电极，分别设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层，供与外部电源形成电性连接。