[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410016495.7 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779161A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 杨勇胜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供半导体衬底，并选用大原子质量的离子对拟形成源漏区的区域进行高能量、高剂量、小角度的预非晶化注入，以在所述源漏区中形成预非晶化注入层；
执行退火步骤，以在所述源漏区中形成位错环。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预非晶化注入选用Ge或硅离子。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预非晶化注入选用Sb离子。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预非晶化注入的能量为40-80Kev。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预非晶化注入的剂量为5E14-2E15离子/cm2。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预非晶化注入的角度为0-20°。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预非晶化注入的角度是指离子注入方向与竖直方向之间的夹角。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火步骤包括先执行尖峰退火，再执行扫描激光退火。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述尖峰退火温度为1000-1050℃。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为NMOS器件，所述NMOS器件中形成有高K金属栅极。
11.一种权利要求1至10之一所述的方法制备得到的半导体器件，所述半导体器件的源漏区中形成有位错环。
12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述位错环由所述源漏区伸向所述器件的沟道中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
