[发明专利]压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种双轴压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：

一衬底（101）；

一弛豫SiGeSn缓冲层（107），位于衬底上；

一GeSn沟道（104），位于所述 SiGeSn层（107）上；

一栅电极绝缘介电质层（105），位于沟道上；

一栅电极（106），位于所述栅电极绝缘介电质层上;

一源极（102）与一漏极（103），分别位于所述栅电极（106）的两侧；

所述弛豫SiGeSn缓冲层晶格常数比GeSn沟道层晶格常数小。

2.如权利要求1所述的双轴压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，其中衬底是半导体材料，或者绝缘体材料。

3.如权利要求1所述的双轴压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，其中弛豫SiGeSn缓冲层为单晶SiGeSn材料，其通式为Si_1-x-yGe_xSn_y （0≤x<1, 0≤y < 0.30），SiGeSn缓冲层利用外延生长技术生长在衬底上，或者利用键合的技术键合在衬底上。

4.如权利要求1所述的双轴压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，沟道GeSn材料通式为Ge_1-zSn_z（0≤z≤0.25），采用外延生长技术生长在弛豫SiGeSn缓冲层上。

5.  如权利要求1所述的双轴压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，源和漏为p型掺杂。