[发明专利]光阻胶清洗腔室和去除超厚金属层上残余光阻胶的方法在审
| 申请号： | 201410015397.1 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN104779180A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘丽丽;仇峰;代大全;史航 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光阻胶 清洗 去除 金属 残余 方法 | ||
1.一种光阻胶清洗腔室，具有室体以及位于所述室体中的加热板，其特征在于：所述加热板具有孔，所述孔中具有用于支撑半导体基底且可升降的顶杆。
2.根据权利要求1所述的光阻胶清洗腔室，其特征在于：所述孔为至少3个，所述顶杆为至少3个。
3.根据权利要求1所述的光阻胶清洗腔室，其特征在于：所述光阻胶清洗腔室与刻蚀腔室相邻。
4.一种去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，包括：
当完成超厚金属层的蚀刻后，将含有所述超厚金属层以及超厚金属层上残余光阻胶的半导体基底从蚀刻腔室传送到光阻胶清洗腔室，其中，所述光阻胶清洗腔室具有室体以及位于所述室体中的加热板，所述加热板具有孔，所述孔中具有用于支撑半导体基底且可升降的顶杆；
将所述顶杆升起并将所述半导体基底放置于所述顶杆，使得所述半导体基底与所述加热板之间具有一设定距离；
向所述室体中通入清洗气体并加热所述加热板以去除所述残余光阻胶。
5.根据权利要求4所述的去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，其特征在于：所述半导体基底由机械手从蚀刻腔室传送到光阻胶清洗腔室。
6.根据权利要求4所述的去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，其特征在于：
所述超厚金属层为顶层金属层，所述顶层金属层的厚度大于2.5um。
7.根据权利要求6所述的去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，其特征在于：
所述半导体基底为具有半导体器件、介质层和金属连线层的半导体基底。
8.根据权利要求4所述的去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，其特征在于：
所述半导体基底与所述加热板之间的距离为1～30mm。
9.根据权利要求4所述的去除超厚金属层上残余光阻胶的方法，其特征在于：
向所述室体中通入的清洗气体为H2O、O2和N2的混合气体，去除所述残余光阻胶时温度控制在200～300℃，清洗时间为5～30min，其中H2O的流量为0～1000sccm，O2的流量为1500～3000sccm，N2的流量为0-1200sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
