[发明专利]OSP表面处理封装基板成型铣切方法有效
| 申请号： | 201410015391.4 | 申请日： | 2014-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103730375A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吴梅珠;方庆玲;吴小龙;刘秋华;胡广群;徐杰栋;梁少文 | 申请（专利权）人： | 无锡江南计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 214083 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | osp 表面 处理 封装 成型 方法 | ||
1.一种OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于包括：
第一步骤：完成合拼半成品制作后进行电测试；
第二步骤：对电测试通过的合拼板进行烘烤；
第三步骤：对烘烤后的合拼板进行喷砂处理。喷砂处理优选地采用金刚砂和硅藻土；
第四步骤：进行OSP表面处理以在铜导体表面获得OSP表面处理层；
第五步骤：在经过OSP表面处理的合拼板两面贴胶带；
第六步骤：对贴有胶带的合拼板进行铣切处理以获得胶带覆盖的封装基板单元板成品；
第七步骤：剥离胶带覆盖的封装基板单元板成品上的胶带，获得封装基板单元板成品。
2.根据权利要求1所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第二步骤中，对电测试通过的合拼板在120℃-150℃下烘烤12-24小时。
3.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第三步骤中，通过喷砂处理以使得铜导体表面粗糙度在0.2～0.7μm范围内。
4.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第三步骤中，喷砂处理时合拼板的传输速度1～2m/min，喷砂压力1～2.5kg/cm2。
5.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第四步骤中，形成的OSP表面处理层的厚度在0.2～0.45μm的范围内。
6.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，所述胶带优选电镀蓝胶带。
7.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，所述胶带不与OSP表面处理层发生化学反应。
8.根据权利要求1或2所述的OSP表面处理封装基板成型铣切方法，其特征在于，在第五步骤中，在贴胶带之后，去除后续铣切处理的铣切线将要经过的位置的胶带下面的气泡。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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