[发明专利]一种用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源

权利要求书

1.一种用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，用于向产生低温等离子体的低温等离子体反应器供电，其特征在于，所述的双极性脉冲电源包括主电路和控制电路；

所述的主电路包括：

三相整流滤波电路，用于将三相交流电压转换为稳定的直流电压；

IGBT变换电路，用于将直流电压转化为脉冲电压；

升压电路，输出端接有所述的低温等离子体反应器，并用于对所述的脉冲电压升压；

所述的控制电路接入IGBT变换电路，并用于调节整流后的直流电压和IGBT变换电路的输出电压以及脉冲频率。

2.如权利要求1所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，所述的三相整流滤波电路包括三相桥式全控整流电路和滤波电路。

3.如权利要求1所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，所述的IGBT变换电路包括逆变电路和LC串联谐振电路。

4.如权利要求1所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，所述的升压电路为变压器。

5.如权利要求1所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，所述的三相交流电压经滤波器进入所述的三相整流滤波电路。

6.如权利要求1所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，所述的控制电路包括单片机控制电路、控制电源和IGBT控制电路：

单片机控制电路用于为控制电源和IGBT控制电路提供电信号；

控制电源用于把单片机控制电路信号放大，调节整流后的直流电压；

IGBT控制电路把单片机控制电路信号放大，调节IGBT变换电路的输出电压以及脉冲频率。

7.如权利要求6所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，还设有接入所述单片机控制电路的外部输入模块。

8.如权利要求1所述的用于产生低温等离子体的双极性脉冲电源，其特征在于，所述的低温等离子体反应器为线筒式反应器、线板式反应器、板板式反应器、针板式反应器或介质阻挡式反应器。