[发明专利]一种表面修饰铕的三氧化钨光电极及制备方法

权利要求书

1.一种表面修饰铕的三氧化钨光电极，其特征在于，

1）所述的光电极中铕与钨的原子质量比为1：99-30：70；

2）所述的光电极的组成颗粒变小；

3）所述的光电极的发光强度随铕修饰量增加而加强；

4）所述的光电极的带隙随铕修饰量增加而变宽；

5）所述的光电极在0.8V电压下的光电流比纯三氧化钨光电极最大增加12倍。

2.一种表面修饰铕的三氧化钨光电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）无定形氧化钨薄膜的制备：在Na₂WO₄溶液中加入H₂O₂，得到含W₂O₁₁^2-的澄清电解液；然后进行电沉积，得到无定形氧化钨薄膜；

2）滴加法表面修饰铕：将硝酸铕溶液逐滴滴加到步骤1）得到的无定形氧化钨薄膜表面，晾干，得到表面修饰铕的氧化钨薄膜；

3）煅烧：将步骤2）得到的表面修饰铕的氧化钨薄膜在450℃下高温煅烧3h，冷却至室温后取出，得到表面修饰铕的三氧化钨光电极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤1）具体如下：

将0.0025mol的Na₂WO₄溶于50mL的去离子水，加入0.25～1.00mL质量百分比浓度为30%的H₂O₂溶液，再加入30mL的乙二醇，搅拌得到含W₂O₁₁^2-溶液后用稀硝酸调节pH值为1.9～2.0，加去离子水至100mL，得到澄清的电解液；以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，水浴恒温25℃，施加电压为-0.6V，沉积电荷为6.0C，得到无定形氧化钨薄膜；用去离子水冲洗后晾干，备用。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述的步骤2）中硝酸铕溶液的浓度为0.02mol/L～0.04mol/L。