[发明专利]铝残留的去除方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及在铜制程的后段工艺（Cu BEOL）的铝垫制作过程中，蚀刻后非铝垫区域的铝残留的去除方法。

背景技术

随着小型化和高集成度的飞速发展，超大规模集成电路（VLSI）在设计制造中已经面临越来越多的挑战。

在集成电路的后段工艺中，需要形成铝垫结构，通常该铝垫结构形成在铜互连线上，作为输入/输出端或者为电源/接地信号提供连接，然后在铝垫的基础上进行后续操作。

然而随着CD的逐渐变小，在铝垫的制作过程中也不可避免的出现了各种问题。如图1所示，一种状况就是会形成铝残留（residue），并且这通常是在整片晶圆上都存在的（full map，即影响接近100%），对于这种状况，势必会导致产品的严重不合格。

基于此，技术人员尝试在刻蚀过程中，加大刻蚀力度，以尽可能的减少铝残留，但是实际上这一做法并不见效，原因是铝残留的形成是由于之前形成的光阻残留所致，在干法刻蚀之后原先的刻蚀深度（Step Height）通常不会改变，或者只是变得更大，并不会因为刻蚀力度的增加而去除由于光阻残留所造成的铝残留。

因此，如何改善这一状况，已成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种铝残留的去除方法，改善铝残留的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种铝残留的去除方法，用于在铝垫制作过程中，去除蚀刻后非铝垫区域的铝残留，包括：

提供前端结构，所述前端结构至少包括金属铝层；

在所述金属铝层中形成多个沟槽，所述沟槽中具有铝残留；

涂敷光阻，所述光阻覆盖所述前端结构并填充于所述沟槽中；

在对应所述沟槽的光阻处进行曝光，并进行显影，所述显影时间长于设定的标准显影时间，以将铝残留去除。

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，所述显影时间为设定的标准显影时间的5～15倍。

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，进行曝光时曝光能量低于设定的标准曝光能量，以在所述沟槽侧壁形成一光阻薄膜。

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，所述曝光能量低于设定的标准曝光能量的8%～15%。

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，所述金属铝层的厚度为

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，所述光阻位于所述金属铝层之上的厚度为

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，在进行显影后，还包括：清洗经显影后的前端结构。

可选的，对于所述的铝残留的去除方法，采用去离子水进行清洗，并进行甩干。

与现有技术相比，本发明提供的铝残留的去除方法中，通过进行比设定的标准显影时间长的显影过程，使得碱性的显影液将铝残留反应掉，从而将沟槽中的铝残余去除掉，提高了产品质量；

进一步的，本发明中，将曝光能量相比设定的标准曝光能量减弱了8%～15%，从而使得在显影时，在沟槽的侧面形成了一层光阻薄膜，有效的防止沟槽侧壁的金属铝由于显影时间长而被腐蚀，保证了铝垫的质量。

附图说明

图1为现有技术中铝垫制作过程中的结构示意图；

图2为本发明中铝残留的去除方法的流程图；

图3-图7为本发明中铝残留的去除方法的过程中的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的铝残留的去除方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本发明的核心思想在于，提供一种铝残留的去除方法，通过进行比设定的标准显影时间长的显影过程，从而将沟槽中的铝残余去除掉，提高了产品的质量。