[发明专利]一种锡基合金-碳复合负极活性材料的制备及应用在审

专利信息
申请号: 201410014965.6 申请日: 2014-01-13
公开(公告)号: CN103715406A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 韩伟强;辛凤霞 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/587
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 马莉华;崔佳佳
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 合金 复合 负极 活性 材料 制备 应用
【说明书】:

技术领域

发明涉及负极活性材料制备及应用技术领域,具体涉及一种锡基中间合金-碳负极活性材料的制备及其在电池中的应用。

背景技术

锂离子二次电池自上个世纪九十年代以来,得到了飞速的发展,广泛应用于移动设备、移动计算、航天航空、生物医药等领域。目前,商品化的锂离子电池负极材料采用的是碳素材料,其具有循环效率高、循环寿命长、电极电位较低等优点。但随着对锂离子电池容量要求的不断提高,石墨负极材料越来越不能满足大功率锂电池的需求。同时,由于钠源分布广泛且价格便宜,钠电池得到了越来越多的关注和发展。钠电池与锂电池有相似的充放电机理,其离子半径与锂离子相比,大55%,故其循环性能受到更多的挑战。近几年来,钠电池得到了科研工作者的青睐,不过,其商品化过程还需要不断的对正极和负极材料进行改性和研究。

锂、钠离子电池负极材料作为提高电池能量及循环寿命的重要因素,理所应当受到研究者的青睐。与其他负极材料相比,锡嵌锂过程中,储锂容量可达993mAh/g,体积比容量更是高达7313mAh/cm3;锡与钠形成合金的过程中,理论比容量为847mAh/g。锡基负极材料是锂、钠电池理想的高容量负极活性材料。同时,其还有加工性好、可快速充放电、电压平台低等众多优点。但是,锡负极材料也存在着巨大的体积膨胀问题,锡与锂的合金化过程,体积膨胀超过300%,锡嵌钠的过程体积膨胀更是超过500%,导致材料的循环性能变差。

目前,本领域尚缺乏一种理论容量高,成本低,循环稳定性好的负极材料。

发明内容

本发明的目的是针对现有制备锂、钠电池负极材料的不足,提供一种理论比容量高、电池循环稳定性较好的锡基中间合金-碳复合负极活性材料的制备及应用。

本发明的第一方面,提供了一种复合材料,所述的复合材料由锡基中间合金MSn5和碳基质组成,且所述的合金以细微颗粒的形式分布于碳基质中;

其中,M选自下组:铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu),或其组合。

在另一优选例中,所述锡基中间合金MSn5颗粒的质量百分比为1-99%;且所述碳基质的质量百分比1-99%;以所述复合材料的总重量计。

在另一优选例中,所述锡基中间合金颗粒的质量百分比为30-99wt%;且所述碳基质的质量百分比为1-70wt%;以所述复合材料的总重量计。

在另一优选例中,所述锡基中间合金颗粒的质量百分比为50-97wt%;且所述碳基质的质量百分比为3-50wt%;以所述复合材料的总重量计。

在另一优选例中,所述锡基中间合金颗粒的质量百分比为70-95wt%;且所述碳基质的质量百分比为5-30wt%;以所述复合材料的总重量计。

在另一优选例中,所述材料具有能与锂(Li)或钠(Na)反应的反应相。

在另一优选例中,所述的锡基中间合金MSn5(M=Fe、Ni、Co、Cu)中,Sn的质量百分含量约为70-95wt%,以所述合金的总重量计。

在另一优选例中,所述Sn的质量百分含量为75-95%;更佳地为80-95%。

在另一优选例中,所述的合金颗粒的M位置存在缺陷;或所述的颗粒的M原子有部分缺失。

在另一优选例中,所述的锡基中间合金具有四方相。

在另一优选例中,所述的锡基中间合金属于P4/mcc空间群。

在另一优选例中,合金的形貌为球状、或近似于球状(通常为“球状颗粒”)。

在另一优选例中,所述的合金粒径尺寸范围为10-100nm,较佳地为20-70nm,更佳地为30-50nm。

在另一优选例中,当所述合金的形貌为球状时,所述的球状合金表面还具有氧化物层。

在另一优选例中,所述的氧化物层具有选自下组的组分:锡(Sn)与M(铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu))元素的氧化物。

在另一优选例中,所述氧化层的厚度为1-10nm,较佳地为2-6nm,更佳地为3-4nm。

在另一优选例中,所述的碳基质选自下组:焦炭、石墨、中间相碳微球、硬碳,或其组合;优选地选自碳纳米管、碳纳米线、碳纳米球、石墨烯,或其组合。

在另一优选例中,所述的碳基质包括对碳材料的改性,主要包括引入金属元素(如钾、镁、铝、镓等)和非金属元素(如硼、氮、硅、磷、硫等),以提高其容量,降低不可逆容量等。

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