[发明专利]一种用于高压DC-DC电路中的使能启动电路有效
申请号: | 201410014358.X | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103762838B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 秦松 | 申请(专利权)人: | 帝奥微电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司31250 | 代理人: | 金利琴 |
地址: | 201103 上海市闵行区合川*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 高压 dc 电路 中的 启动 | ||
1.一种用于高压DC-DC电路中的使能启动电路,其特征在于:一比较器的正向输入端通过第一电阻R1施加到第一NMOS管的栅极,该NMOS管的漏极依次通过源极相连接的第一PMOS管和第二PMOS管后连接到带隙基准电路的输入端,该带隙基准电路输出一参考电压到所述比较器的反向输入端;
所述第一电阻连接第二NMOS管的漏极,该第二NMOS管的源极通过第二电阻连接到带隙基准电路的第三端,该第一NMOS管的源极通过第三电阻连接所述带隙基准电路的第三端,所述第二PMOS管的漏极依次连接第三PMOS管的源极、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管后,该第五NMOS管的源极连接所述该带隙基准电路的第三端,其中第三PMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连接,该第三NMOS管的源极与该第四NMOS管的漏极相连接,该第四NMOS管的源极与该第五PMOS管的漏极相连接;
所述第二PMOS管的漏极连接第四PMOS管的源极,该第四PMOS管的漏极连接到所述第二NMOS管的栅极,且该第四PMOS管的漏极通过一恒流源连接到所述带隙基准电路的第三端,该第四PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极相连接;
以上所述第一PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管的栅极和漏极相连接。
2.根据权利要求1所述的使能启动电路,其特征在于:所述第一PMOS管的源极和其栅极间,以及所述PMOS管的源极和其栅极间分别设有第四电阻,且该第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连接。
3.根据权利要求1或2所述的使能启动电路,其特征在于:所述比较器的正向输入端依次通过源极和漏极相连接的第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管后,通过该第九NMOS管的源极连接到所述带隙基准电路的第三端,且该第六、第七、第八、第九的NMOS管的漏极和栅极相连接。
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