[发明专利]一种手性晶体的生长装置及方法有效
申请号: | 201410014072.1 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103774207A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 朱昊天;潘雪丰;张斌;何如双;陶卫东 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | C30B7/02 | 分类号: | C30B7/02 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 手性 晶体 生长 装置 方法 | ||
1.一种手性晶体的生长装置,其特征在于包括激光器、偏振器、光转换传播组件和溶液盛器,所述的偏振器设置于所述的激光器出射的激光光束的光传播路径上,所述的光转换传播组件设置于所述的偏振器与所述的溶液盛器之间,所述的激光器出射的激光光束经过所述的偏振器后形成线偏振光,所述的偏振器输出的线偏振光经过所述的光转换传播组件后形成扩束平行圆偏振光,所述的光转换传播组件输出的扩束平行圆偏振光照射于盛放在所述的溶液盛器内的水溶性手性晶体的饱和溶液上。
2.根据权利要求1所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的光转换传播组件由λ/4相位延迟器、激光扩束元件和反射镜组成,所述的偏振器、所述的λ/4相位延迟器、所述的激光扩束元件和所述的反射镜依次设置在所述的激光器出射的激光光束的光传播路径上,所述的溶液盛器设置在所述的反射镜反射的反射光的光传播路径上;所述的偏振器输出的线偏振光经所述的λ/4相位延迟器后形成圆偏振光,所述的λ/4相位延迟器输出的圆偏振光经所述的激光扩束元件后形成扩束平行光,且该扩束平行光为扩束平行圆偏振光,所述的激光扩束元件输出的扩束平行圆偏振光照射在所述的反射镜上,所述的反射镜反射的扩束平行圆偏振光竖直向上照射于盛放在所述的溶液盛器内的水溶性手性晶体的饱和溶液上。
3.根据权利要求1所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的光转换传播组件由λ/4相位延迟器、激光扩束元件和反射镜组成,所述的偏振器、所述的激光扩束元件和所述的反射镜依次设置在所述的激光器出射的激光光束的光传播路径上,所述的λ/4相位延迟器和所述的溶液盛器依次设置在所述的反射镜反射的反射光的光传播路径上;所述的偏振器输出的线偏振光经所述的激光扩束元件后形成扩束平行光,且该扩束平行光为扩束平行线偏振光,所述的激光扩束元件输出的扩束平行线偏振光照射在所述的反射镜上,所述的反射镜反射的扩束平行线偏振光经所述的λ/4相位延迟器后形成扩束平行圆偏振光,所述的λ/4相位延迟器输出的扩束平行圆偏振光竖直向上照射于盛放在所述的溶液盛器内的水溶性手性晶体的饱和溶液上。
4.根据权利要求1所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的光转换传播组件由λ/4相位延迟器、激光扩束元件和反射镜组成,所述的偏振器、所述的λ/4相位延迟器和所述的反射镜依次设置在所述的激光器出射的激光光束的光传播路径上,所述的激光扩束元件和所述的溶液盛器依次设置在所述的反射镜反射的反射光的光传播路径上;所述的偏振器输出的线偏振光经所述的λ/4相位延迟器后形成圆偏振光,所述的λ/4相位延迟器输出的圆偏振光照射在所述的反射镜上,所述的反射镜反射的圆偏振光经所述的激光扩束元件后形成扩束平行光,且该扩束平行光为扩束平行圆偏振光,所述的激光扩束元件输出的扩束平行圆偏振光竖直向上照射于盛放在所述的溶液盛器内的水溶性手性晶体的饱和溶液上。
5.根据权利要求1所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的光转换传播组件由λ/4相位延迟器、激光扩束元件和反射镜组成,所述的偏振器和所述的反射镜依次设置在所述的激光器出射的激光光束的光传播路径上,所述的激光扩束元件、所述的λ/4相位延迟器和所述的溶液盛器依次设置在所述的反射镜反射的反射光的光传播路径上;所述的偏振器输出的线偏振光照射在所述的反射镜上,所述的反射镜反射的线偏振光经所述的激光扩束元件后形成扩束平行光,且该扩束平行光为扩束平行线偏振光,所述的激光扩束元件形成的扩束平行线偏振光经所述的λ/4相位延迟器后形成扩束平行圆偏振光,所述的λ/4相位延迟器输出的扩束平行圆偏振光竖直向上照射于盛放在所述的溶液盛器内的水溶性手性晶体的饱和溶液上。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的λ/4相位延迟器为菲涅尔棱镜或者1/4波片;所述的激光扩束元件输出的扩束平行光的直径大于1厘米。
7.根据权利要求6所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的反射镜与水平面呈45°角放置,所述的反射镜的竖直方向的投影面的面积大于所述的溶液盛器的底面积。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的一种手性晶体的生长装置,其特征在于所述的激光器为He-Ne激光器或者半导体泵浦激光器。
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