[发明专利]光学感测芯片

权利要求书

1.一种光学感测芯片，包括：

基底，具有一绝缘层；

至少一绝缘氧化物层，覆盖于该基底上以提供一固定拉曼信号；

电极图案，位于该基底上以及该至少一绝缘氧化物层下方，其中该电极图案直接位于该绝缘层上，且该至少一绝缘氧化物层共形覆盖该电极图案的上表面和侧表面；

隔离层，覆盖于该基底与该至少一绝缘氧化物层上，其中该隔离层具有至少一开口；以及

立体纳米结构阵列，位于该至少一绝缘氧化物层上以及位于该基底上方，其中该电极图案的位置对应该立体纳米结构阵列的位置，而该开口暴露出该立体纳米结构阵列，其中该立体纳米结构阵列包括排列成行列的多个立体纳米结构，而任一立体纳米结构至少包括一立体聚合物结构与共形覆盖于该立体聚合物结构上的一金属层，

其中该多个立体纳米结构作为表面电浆共振结构，而该电极图案作为静电操控电极。

2.如权利要求1所述光学感测芯片，其中该基底可提供一特定的参考拉曼信号以做为参考信号。

3.如权利要求2所述光学感测芯片，其中该绝缘氧化物层的材质包括金属氧化物或氧化硅，而该基底为一硅基底。

4.如权利要求3所述光学感测芯片，其中该金属氧化物包括氧化铝。

5.如权利要求1所述光学感测芯片，其中该绝缘氧化物层厚度为20纳米。

6.如权利要求1所述光学感测芯片，其中该立体聚合物结构为具300纳米直径的聚苯乙烯球。

7.如权利要求1所述光学感测芯片，其中该金属层为厚度20～60纳米的金、银或铜膜。

8.如权利要求1所述光学感测芯片，其中该隔离层材质包括透明的高分子聚合物。

9.如权利要求8所述光学感测芯片，其中该透明的高分子聚合物包括聚二甲基硅氧烷。

10.如权利要求7所述光学感测芯片，其中该电极图案由一底金属层所形成，且该电极图案的位置对应于该立体纳米结构阵列的位置。

11.一种光学感测芯片，包括：

硅基板，提供一特定的拉曼信号可做为参考信号，该硅基板包括一绝缘层、至少一绝缘氧化物层以及位于该至少一绝缘氧化物层下方的一底金属层，其中该底金属层直接位于该绝缘层上，且该至少一绝缘氧化物层共形地覆盖该底金属层的上表面和侧表面；

隔离层，覆盖于该硅基板上，其中该隔离层具有至少一开口；以及

立体纳米结构阵列，位于该硅基板上而该开口暴露出该立体纳米结构阵列，其中该立体纳米结构阵列包括排列成行列的多个立体纳米结构，而任一立体纳米结构至少包括一立体聚合物结构与共形覆盖于该立体聚合物结构上的一金属层。

12.如权利要求11所述光学感测芯片，其中该立体聚合物结构为具300纳米直径的聚苯乙烯球。

13.如权利要求11所述光学感测芯片，其中该金属层为厚度20～60纳米的金、银或铜膜。

14.如权利要求11所述光学感测芯片，其中该隔离层材质包括透明的高分子聚合物。

15.如权利要求14所述光学感测芯片，其中该透明的高分子聚合物包括聚二甲基硅氧烷。

16.如权利要求13所述光学感测芯片，其中该底金属层的位置对应于该立体纳米结构阵列的位置。