[发明专利]三维半导体器件

权利要求书

1.一种三维半导体器件，包括：

选择线；

水平地交叉所述选择线的第一和第二上部线；和

竖直地交叉所述选择线的第一和第二竖直图案，所述第一竖直图案连接到所述第一上部线，所述第二竖直图案连接到所述第二上部线，

其中当在平面图中看时，所述第一和第二竖直图案的每个交叠所述第一和第二上部线二者。

2.根据权利要求1所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二竖直图案沿着所述第一和第二上部线的纵向方向布置。

3.根据权利要求1所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二上部线的每个的宽度小于所述第一和第二竖直图案的每个的宽度的一半。

4.根据权利要求1所述的三维半导体器件，还包括插置在所述第一和第二上部线与所述第一和第二竖直图案之间的插塞，

其中每个所述插塞连接所述第一和第二上部线的其中之一与所述第一和第二竖直图案中的相应一个。

5.根据权利要求4所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二竖直图案组成一对选择晶体管，所述一对选择晶体管共用所述选择线作为其栅电极。

6.根据权利要求1所述的三维半导体器件，其中包括所述第一和第二上部线的至少两个上部线提供在所述第一和第二竖直图案的每个上。

7.一种三维半导体器件，包括：

第一和第二选择线，一个层叠在另一个上；

水平地交叉所述第一和第二选择线的上部线；和

竖直地交叉所述第一和第二选择线的第一和第二竖直图案，所述第一和第二竖直图案共同连接到所述上部线，

其中所述第一和第二竖直图案的每个组成彼此串联连接的第一和第二选择晶体管，所述第一和第二选择晶体管分别具有彼此不同的第一和第二阈值电压，其中

所述第一竖直图案的所述第一选择晶体管和所述第二竖直图案的所述第一选择晶体管分别被所述第一和第二选择线控制。

8.根据权利要求7所述的三维半导体器件，其中所述第一竖直图案的所述第一选择晶体管和所述第二竖直图案的所述第一选择晶体管分别使用所述第一和第二选择线作为其各自的栅电极，其中

所述第一竖直图案的所述第二选择晶体管和所述第二竖直图案的所述第二选择晶体管分别使用所述第二和第一选择线作为其各自的栅电极。

9.根据权利要求7所述的三维半导体器件，还包括：

水平地交叉所述第一和第二选择线的附加上部线；和

竖直地交叉所述第一和第二选择线的第三竖直图案，所述第三竖直图案连接到所述附加上部线，

其中当在平面图中看时，所述第一、第二和第三竖直图案的每个交叠所述上部线和所述附加上部线二者。

10.根据权利要求7所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二选择晶体管二者包括具有实质上相同的导电类型的金属氧化物半导体场效应晶体管，其中

所述第一阈值电压低于所述第二阈值电压。

11.根据权利要求7所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二选择晶体管二者包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中

所述第一阈值电压是负值，所述第二阈值电压是正值。

12.根据权利要求7所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二选择晶体管包括电荷存储层，其中

所述第一选择晶体管经受电擦除以具有比所述第二选择晶体管的阈值电压低的阈值电压。

13.根据权利要求7所述的三维半导体器件，其中所述第一和第二竖直图案的所述第一选择晶体管包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述n型金属氧化物半导体场效应晶体管中的至少一个具有n型沟道区。