[发明专利]一种传感器

权利要求书

1.一种传感器，其特征在于，包括：壳体，以及位于所述壳体内部的电源接入端、磁敏开关和传感元件；

所述磁敏开关依据所述壳体外部的磁场控制所述电源接入端与所述传感元件之间的导通或断开。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，进一步包括：用于在所述壳体外部产生所述磁场的永磁体。

3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述壳体具有用于收容所述永磁体的凹槽。

4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，进一步包括：位于所述壳体内的电源控制芯片，所述电源控制芯片串联在所述电源接入端与所述传感元件之间、并受控于所述磁敏开关。

5.根据权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述电源控制芯片包括输入端、使能端、接地端和输出端；

所述输入端与所述电源接入端连接；

所述输出端与所述传感元件连接，用以为所述传感元件供电；

所述使能端通过所述磁敏开关与所述电源接入端连接，且所述使能端受控于所述磁敏开关，用以控制所述输入端与所述输出端的导通或断开；

所述接地端接地。

6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述使能端与所述电源接入端通过第一电阻连接；

且所述电源接入端通过所述第一电阻和所述磁敏开关接地。

7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，还包括：第二电阻、第一二极管和第一电容；

所述第一电阻和所述干簧管均通过所述第二电阻与所述使能端连接；

所述第一二极管与所述第二电阻并联连接，且所述第一二极管沿所述电源到所述使能端的导通方向导通；

所述使能端通过所述第一电容接地。

8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，进一步包括：位于所述壳体内的PMOS三极管；所述PMOS三极管包括源极、漏极和栅极；

所述栅极接地，且与所述电源接入端通过所述磁敏开关连接，以使所述栅极受控于所述磁敏开关，以控制所述输入端与所述输出端的导通或断开；

所述源极与所述电源连接；

所述漏极与所述传感元件连接，用以为所述传感元件供电。

9.根据权利要求8所述的传感器，其特征在于，所述栅极通过第三电阻接地；

所述磁敏开关连接于所述电源接入端与所述栅极之间。

10.根据权利要求9所述的传感器，其特征在于，还包括：第四电阻、第二三极管和第二电容；

所述第三电阻和所述干簧管均通过所述第四电阻与所述栅极连接；

所述第二三极管与所述第四电阻并联连接，且沿所述栅极到接地端的方向导通；

所述第二电容连接于所述电源与所述栅极之间。