[发明专利]一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410011430.3 申请日: 2014-01-10
公开(公告)号: CN103762309A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 沈祥;陈益敏;王国祥;李军建;吕业刚;王训四;戴世勋;徐铁峰;聂秋华 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C22C12/00
代理公司: 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 代理人: 程晓明
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 环境友好 zn sb 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:该材料是由锌,锑两种元素组成的混合物。

2.根据权利要求1所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为ZnxSb(100-x)(0<x<60)。

3.根据权利要求2所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料采用ZnSb合金靶和Sb单质靶或者ZnSb合金靶和Zn单质靶共溅射形成。

4.根据权利要求2所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn46.5Sb53.5

5.根据权利要求2所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn49.3Sb50.7

6.一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于具体包括以下步骤:

(1)在磁控溅射镀膜系统(JGP-450型)中,采用石英片或氧化硅片为衬底,将单质Sb或Zn靶材安装在磁控直流溅射靶中,将ZnSb合金靶材安装在磁控射频溅射靶中;

(2)将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔内真空度达到2.0×10-4Pa,然后向溅射腔室内通入体积流量为50ml/min的高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需溅射气压0.35Pa;

(3)然后控制合金ZnSb靶的溅射功率为20-50W,单质Sb或Zn靶材的溅射功率为0-40W,于室温下溅射镀膜,溅射5min后即得到沉积态的Zn-Sb相变存储薄膜材料,其化学结构式为ZnxSb(100-x),其中0<x<60。

7.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:将制备得到的相变存储薄膜样品放入快速退火炉中,在高纯氩气氛围保护下,迅速升温至150-400℃下进行退火,得到经热处理的Zn-Sb相变存储薄膜材料,以便用于分析其相变前后薄膜内部微结构的变化。

8.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述的ZnSb靶材及所述的Sb和Zn靶材的纯度均为99.99%。

9.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn46.5Sb53.5

10.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn49.3Sb50.7

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学,未经宁波大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410011430.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top