[发明专利]一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料及其制备方法在审
申请号: | 201410011430.3 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN103762309A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 沈祥;陈益敏;王国祥;李军建;吕业刚;王训四;戴世勋;徐铁峰;聂秋华 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;C22C12/00 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 环境友好 zn sb 相变 存储 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:该材料是由锌,锑两种元素组成的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为ZnxSb(100-x)(0<x<60)。
3.根据权利要求2所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料采用ZnSb合金靶和Sb单质靶或者ZnSb合金靶和Zn单质靶共溅射形成。
4.根据权利要求2所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn46.5Sb53.5。
5.根据权利要求2所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn49.3Sb50.7。
6.一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于具体包括以下步骤:
(1)在磁控溅射镀膜系统(JGP-450型)中,采用石英片或氧化硅片为衬底,将单质Sb或Zn靶材安装在磁控直流溅射靶中,将ZnSb合金靶材安装在磁控射频溅射靶中;
(2)将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空直至腔内真空度达到2.0×10-4Pa,然后向溅射腔室内通入体积流量为50ml/min的高纯氩气直至溅射腔室内气压达到溅射所需溅射气压0.35Pa;
(3)然后控制合金ZnSb靶的溅射功率为20-50W,单质Sb或Zn靶材的溅射功率为0-40W,于室温下溅射镀膜,溅射5min后即得到沉积态的Zn-Sb相变存储薄膜材料,其化学结构式为ZnxSb(100-x),其中0<x<60。
7.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:将制备得到的相变存储薄膜样品放入快速退火炉中,在高纯氩气氛围保护下,迅速升温至150-400℃下进行退火,得到经热处理的Zn-Sb相变存储薄膜材料,以便用于分析其相变前后薄膜内部微结构的变化。
8.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述的ZnSb靶材及所述的Sb和Zn靶材的纯度均为99.99%。
9.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn46.5Sb53.5。
10.根据权利要求6所述的一种环境友好型Zn-Sb相变存储薄膜材料的制备方法,其特征在于:所述的Zn-Sb薄膜材料的化学结构式为Zn49.3Sb50.7。
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