[发明专利]一种灯盏花的漂浮育苗方法

说明书

技术领域

本发明属于药用植物栽培技术领域，具体涉及一种灯盏花育苗的方法。

背景技术

灯盏花[Erigeron breviscapus（Vant.）Hand.–mazz.d]又名短葶飞蓬、灯盏细辛、东菊，属菊科飞蓬属草本植物。目前灯盏花的种植技术主要以直播种植和不带土移栽种植为主，但直播和不带土移栽种植过程中苗期管理较为复杂，费时、费力、苗期除草成本高等特点，已严重制约灯盏花产业的快速发展。

近年，针对灯盏花漂浮育苗方面的研究文献较少，现有技术有《云南农业》2005年第2期的《灯盏花漂浮育苗技术》，该技术采用与烟草漂浮育苗相同的方法，采用200孔和162孔育苗盘育苗，除存在育苗量少基质用量大，不能满足当下灯盏花育苗的需要外，还存在对育苗技术而言，技术方案不够完整、全面、没有病虫害的防治、施肥技术不合理等缺点。

2008年6月《中国农学通报》第24卷第6期的《灯盏花漂浮育苗技术新探》，该论文对发展灯盏花漂浮育苗具有一定的指导作用，得出育苗要选用头年饱满度好的种子，基质为泥炭：石英砂：草木灰=3：1：1，营养液N：P：K=1：1：1的烤烟专用型营养液出苗率最好。但该项研究只有种子、基质、营养液对出苗率的影响，没有对灯盏花育苗过程中每个阶段所需要的光照、温度、水分、病虫害控制等对出苗产生重要作用的关键制约因子进行研究，因此，还不能形成适宜生产上适用的一套完整的技术方案，因此，研究一种技术方案全面系统、基质用量少、种子用量少、育苗量大、移栽成活率高的灯盏花漂浮育苗技术，克服现有技术的不足，满足了社会日益增长的灯盏花需求，保护野生灯盏花资源，促进灯盏花产业的发展具有重大意义。

发明内容

本发明的目的是提供一种技术方案完整、在育苗过程中各关键生长阶段技术参数明确全面系统、基质用量少、种子用量少、育苗量大、移栽成活率高的、在生产上实用的灯盏花的漂浮育苗方法。

本发明所提供的一种灯盏花的漂浮育苗方法，通过以下步骤完成：

(1)搭建育苗大棚

搭建长40～50米，宽20～30米，高5米的拱形钢架大棚，大棚四周及顶端均设有窗的育苗棚；

(2)育苗大棚内搭建育苗池

平整育苗大棚内的土壤，用规格为40cm×20cm×20cm的砖搭建育苗池，育苗池长6～8米、宽1.35米、高0.2米，在育苗池内壁及底面铺一块完整的塑料薄膜；

(3)配制育苗基质

按泥碳：珍珠岩：有机肥的质量比为3:1:1的比例配置育苗基质，所述的有机肥中有机质≥45%质量分数；

(4)消毒

育苗漂盘为长66cm、宽33.8cm、高3.5cm、孔为上大下小的圆锥体，上孔口直径为1.8cm、底部吸水圆孔直径为0.3cm的均布450孔高密度泡沫盘，用质量分数为10%漂白粉浸泡育苗漂盘30分钟，在育苗大棚内用500倍液的优氯净喷洒，每周喷洒一次；

(5)装盘基质的配制和装填

装盘基质由步骤（3）配制好的育苗基质与75%敌克松可湿性粉剂或50%多菌灵可湿性粉剂、98%硫酸铜按如下质量比配比加清水混拌而成，装盘基质的水分含量为30-40%质量分数，将装盘基质装入育苗漂盘的孔内；育苗基质与75%敌克松可湿性粉剂和98%硫酸铜的质量比例为：育苗基质：75%敌克松可湿性粉剂：98%硫酸铜=100:0.5:0.1；育苗基质与50%多菌灵可湿性粉剂和98%硫酸铜的质量比例为：育苗基质：50%多菌灵本可湿性粉剂：98%硫酸铜=100:0.5:0.1；所述百分数为质量分数；

(6)播种方式

用一个育苗漂盘将其底部的吸水圆孔直径增大到0.5cm，把种子装入该育苗漂盘的孔内，播种时将装种子的育苗漂盘对准已装好装盘基质的育苗漂盘，敲击装种子的育苗漂盘使种子落入装好装盘基质的育苗漂盘的孔内，播种量为每育苗漂盘播种发芽率为40%的灯盏花种子0.3g，播种后用喷雾器将雾化水喷在育苗漂盘的种子上，将播好种子的育苗漂盘放入育苗池子中；

（7）温度湿度管理

播种后在整个育苗期育苗池内的水温保持在15～26℃，在播种后至子叶期池水深度为5～6cm，25℃≤棚温≤35℃，子叶期至三叶期至六叶期池水深度为10～15cm，18℃≤棚温≤25℃；六叶期至八叶期池水深度为1～2cm，25℃≤棚温≤30℃；

（8）青苔、绿藻的防除：播种后每隔三天用质量分数为98%硫酸铜2000倍液喷雾在整个育苗漂盘上，共喷施2～3次；

(9)病虫害防治：