[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种FinFET器件的制造方法，包括：

a)提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成鳍片，且所述鳍片的顶部形成有硬掩膜层；

b)在所述鳍片两侧的半导体衬底上形成绝缘隔离层，露出所述硬掩膜层和所述鳍片的大部分；

c)在所述露出的鳍片的两侧形成紧靠所述鳍片的侧墙；

d)去除所述硬掩膜层；

e)对所述鳍片实施退火，使所述鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化，以降低所述FinFET器件的关态电流，提升器件的性能；

f)去除所述侧墙。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施步骤a)包括：在所述半导体衬底上沉积形成所述硬掩膜层；通过旋涂、曝光、显影工艺形成具有所述鳍片的顶部图案的光刻胶层；蚀刻去除未被所述光刻胶层遮蔽的硬掩膜层，形成具有所述鳍片的顶部图案的硬掩膜层；通过灰化工艺去除所述光刻胶层；以所述具有所述鳍片的顶部图案的硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底，以形成所述鳍片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为2-20nm，所述硬掩膜层的构成材料为氮化硅，所述绝缘隔离层的构成材料是作为浅沟槽隔离结构的材料的氧化物，所述侧墙的构成材料为二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施步骤b)包括：在所述半导体衬底上沉积所述绝缘隔离层，以完全覆盖所述鳍片；执行化学机械研磨直至露出位于所述鳍片顶部的硬掩膜层；实施回蚀刻，以露出所述硬掩膜层和所述鳍片的大部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用选择性外延生长工艺实施步骤c)，所述侧墙的宽度为2-10nm，所述侧墙的顶部与所述鳍片的顶部之间的高度差为0-10nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻实施步骤d)，所述湿法蚀刻的腐蚀液为磷酸。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的工艺参数为：在氢气的氛围下实施所述退火，持续时间1-10min，温度不低于1000℃。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述温度为1000-1300℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用湿法蚀刻或者干法蚀刻实施步骤f)，所述湿法蚀刻的腐蚀液为稀释的氢氟酸，所述干法蚀刻为以NH3和NF3为基础蚀刻气体的Siconi蚀刻。

10.一种如权利要求1-9中的任一方法制造的FinFET器件，其特征在于，所述FinFET器件的鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化。