[发明专利]半导体器件及制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一阱，注入在半导体基板中；

第二阱，注入在所述半导体基板中；

栅极结构，在所述第一阱和所述第二阱上；

凸起源极结构，在所述第一阱上且与所述第一阱接触，并且通过第一半导体鳍状结构与所述栅极结构连接；以及

凸起漏极结构，在所述第二阱上且与所述第二阱接触，并且与第二半导体鳍状结构连接，

其中，所述第二半导体鳍状结构包括将所述栅极结构与所述凸起漏极结构分开的间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体鳍状结构和所述第二半导体鳍状结构具有比所述栅极结构窄的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体鳍状结构具有比所述凸起源极结构窄的宽度，或所述第二半导体鳍状结构具有比所述凸起漏极结构窄的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸起源极结构和所述凸起漏极结构都具有比所述栅极结构窄的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙具有比所述第二半导体鳍状结构的鳍状长度小的间隙长度。

6.一种半导体器件，包括：

第一阱，具有第一阱上表面；

第二阱，具有第二阱上表面；

栅极结构，设置于所述第一阱上表面和所述第二阱上表面上；

凸起源极结构，设置于所述第一阱上且与所述第一阱接触，在至少一个位置具有比所述第一阱上表面更高的源极上表面，并且通过第一半导体鳍状结构与所述栅极结构连接；以及

凸起漏极结构，设置于所述第二阱上并且通过第二半导体鳍状结构与所述栅极结构连接，其中，所述第二半导体鳍状结构比所述第一半导体鳍状结构相对轻地掺杂。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一半导体鳍状结构和所述第二半导体鳍状结构具有比所述栅极结构窄的宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述栅极结构具有比所述源极上表面和漏极上表面高的栅极上表面。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括多个栅极，所述第一半导体鳍状结构具有比所述凸起源极结构窄的宽度或所述第二半导体鳍状结构具有比所述凸起漏极结构窄的宽度。

10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：

将第一阱注入到半导体基板中；

将第二阱注入到所述半导体基板中；

制造第一半导体鳍状结构和第二半导体鳍状结构；

部分在所述第一阱上且部分在所述第二阱上制造栅极结构；

在所述第一阱上且与所述第一阱接触地制造凸起源极结构；以及

在所述第二阱上且与所述第二阱接触地制造凸起漏极结构；并且

其中：

所述第一半导体鳍状结构连接所述栅极结构与所述凸起源极结构；

所述第二半导体鳍状结构设置于所述栅极结构与所述凸起漏极结构之间；以及

所述第二半导体鳍状结构包括以下至少一个：

间隙，将所述栅极结构与所述凸起漏极结构分开；以及

轻掺杂区，所述轻掺杂区比所述第一半导体鳍状结构相对轻地掺杂。