[发明专利]一种电容含浸工艺有效

专利信息
申请号: 201410008885.X 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN103745841A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 龙立平;胡拥军;张学军;刘长辉;贺国文;周攀登 申请(专利权)人: 益阳市和天电子有限公司
主分类号: H01G13/04 分类号: H01G13/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 413000 *** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 工艺
【权利要求书】:

1.一种电容含浸工艺,其特征在于:所述工艺包括以下步骤:

1)、将待含浸的电容芯有序放入含浸缸,电容芯放入后将含浸缸密封;

2)、将含浸缸抽真空,抽真空的同时使得电容芯内的水分和空气被抽出;

3)、打开连通阀,使储液桶中的电解液抽入含浸缸,关闭连通阀;

4)、给抽真空后的含浸缸施加正压,正压值为1.2MPa~1.5MPa,保压,然后对电容芯进行含浸,含浸时间为40~120分钟;

5)、释放含浸缸压力为常态,保持15~20分钟;

6)、再次将含浸缸抽真空;

7)、打开连通阀,使储液桶中的电解液抽入含浸缸,关闭连通阀;

8)、给抽真空后的含浸缸施加正压,正压值为1.2MPa~1.5MPa,保压,然后对电容芯进行含浸,含浸时间为40~120分钟;

9)、释放含浸缸压力为常态,保持10~15分钟;

10)、再次将含浸缸抽真空;

11)、打开连通阀,使储液桶中的电解液抽入含浸缸,关闭连通阀;

12)、给抽真空后的含浸缸施加正压,正压值为1.2MPa~1.5MPa,保压,然后对电容芯进行含浸,含浸时间为40~120分钟;

13)、释放含浸缸压力为常态,使含浸液在压力差的作用下流回储液桶;

14)、将含浸后的电容芯取出,甩干即成。

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