[发明专利]用于薄膜沉积的铌和钒有机金属前体

权利要求书

1.在基底上形成含金属的层的方法，该方法包括下列步骤：

a)提供包含至少一种选自下组的前体化合物的蒸气：

(Cp)V(=NtBu)(NEt₂)₂

(Cp)V(=NtBu)(NMe₂)₂

(Cp)V(＝NtBu)(N(EtMe)₂

(Cp)V(=NiPr)(NEt₂)₂

(Cp)V(=NiPr)(NMe₂)₂

(Cp)V(=NiPr)(NEtMe)₂

(Cp)V(=NC₅H₁₁)(NEt₂)₂

(Cp)V(=NC₅H₁₁)(NMe₂)₂

(Cp)V(=NC₅H₁₁)(NEtMe)₂

(Cp)Nb(=NtBu)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(=NtBu)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(=NtBu)(N(EtMe)₂

(Cp)Nb(=NiPr)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(=NiPr)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(=NiPr)(NEtMe)₂

(Cp)Nb(=NC₅H₁₁)(NEt₂)₂

(Cp)Nb(=NC₅H₁₁)(NMe₂)₂

(Cp)Nb(=NC₅H₁₁)(NEtMe)₂

b)提供至少一种选自下组的反应气体：氢、硫化氢、硒化氢、碲化氢、一氧化碳、氨、有机胺、硅烷、乙硅烷、更高级硅烷、甲硅烷基胺、乙硼烷、肼、甲基肼、氯硅烷和氯代聚硅烷、金属烷基、胂、膦、三烷基硼、氧、臭氧、水、过氧化氢、氧化亚氮、一氧化二氮、二氧化氮、醇、包含这些物类的片段的等离子体，以及它们的组合；

c)根据沉积法，使所述蒸气和反应气体与基底反应以在所述基底的至少一个表面上形成含金属的层。

2.权利要求1的方法，其中所述沉积法是原子层沉积法。

3.权利要求1的方法，其中所述沉积法是化学气相沉积法。

4.权利要求1的方法，进一步包括步骤：

d)使步骤c)中获得的含金属的层与选自另一金属源、还原反应物、氮化反应物、氧化反应物以及组合的试剂反应。

5.权利要求1的方法，其中步骤a)中提供的蒸气进一步包含一种或多种金属(M')-有机前体以产生含M和M'的薄膜。

6.权利要求1的方法，其中基底温度为100℃至700℃，且其中含有该基底的沉积室的压力为1.33Pa至100kPa。

7.权利要求6的方法，其中温度为150℃至450℃，且压力为低于25kPa。

8.权利要求1的方法，进一步包括用选自氢气、氮气、氦气、氩气及其混合物的惰性气体从基底上吹除包含所述至少一种前体化合物的过量的蒸气的步骤。